Tongji_joie的博客

1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄生参数（电容）是限制其开关速度（转换时间）的重要因素。3. 有些损耗从本质上与频率无关（如导通损耗）。实际上，其他损耗几乎都随频率的升高而成比例的增加，如交叉损耗。因此，一般来说，降低（而不是提高）开关频率几乎总是有...

1. 开关速度在开关功率变换领域会因其使用场合不同而略有不同。整体电路时，它是指反复开关（导通关断导通关断1010）的频率，即为变换器的基本开关频率f，在讨论开关器件时，它是指两种开关状态（从导通到关断，或者从关断到导通的）转换的时间。2. MOSFET压控性器件，BJT流控型器件。BJT的驱动要求实际上更容易满足，N沟道MOSFET的栅极电压必须比源极电压高几伏。3. 最简单的自举电路...