IGBT的驱动和过流保护电路的研究
1 引言
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor,IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件,因此,它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点,又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点.是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能,所以合理的驱动电路对整机显得很重要,但是如果控制不当,它很容易损坏,其中一种就是发生过流而使IGBT损坏,本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题,就其工作原理进行分析,设计出具有过流保护功能的驱动电路,并进行了仿真研究。
2 IGBT的驱动要求和过流保护分析
1 IGBT的驱动
IGBT是电压型控制器件,为了能使IGBT安全可靠地开通和关断.其驱动电路必须满足以下的条件:
IGBT的栅电容比VMOSFET大得多,所以要提高其开关速度,就要有合适的门极正反向偏置电压和门极串联电阻。
(1)门极电压