STM32 H743 ECC内存相关使用说明笔记

最新推荐文章于 2025-04-29 18:29:31 发布

一只爱做笔记的码农

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目的

刚好有需要用到H743的这方面内容，截取核心内容，翻译看看。

参考文档

【ST官方】H743 参考手册-英文版V7.0【中文版的尚未更新ECC内存相关内容，建议直接看英文的】
【ST官方】H743 ECC内存管理应用手册[编号AN5342]

H7系列的芯片都是支持ECC【内存纠错】的，算法是SEC-DED

在这里插入图片描述

啥是ECC内存请自行百度~
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支持情况汇总

数据来自ST的AN5342
原文如下:
在这里插入图片描述

CPU系列	支持情况
H7X5 H7X7	SRAM，I/D Cache都支持ECC保护，数据宽度为64Bits(AXI-SRAM和ITCM RAM)，其他所有易失性内存都是按32位宽度进行访问的。最小Flash编程单位是256位，被10位的ECC纠错码保护.该系列没有OTP内存区，所以就没有对应内存区的ECC防护
H7X3	仅有紧密耦合内存和I/D Cache支持ECC保护，其他不支持，最小Flash编程单位是128位，被9位的ECC纠错码保护。1K字节的OTP内存区中，每16字节被6位的ECC纠错码防护

SRAM的ECC防护

ST给RAM的ECC防护提供了一个接口【就是一些寄存器和一个ECC_IRQHandler中断】。RAM的ECC功能是不能被关闭的，它作为内存接口的一部分随电源上电，时钟起作用而启动

ECC是按字计算的.如果在易失性存储器中写入了小于字的数据，则修改是在读-修改-写的基础上进行的.对于没有完成的访问,ECC不会立即把值写进去.因为这有可能是下一个字节或半字,它会等待到下一个写周期.这个问题在用备份SRAM是很常见的.譬如突然复位,导致写操作没有完成.这种情况下,需要在正常的数据之后写一个dummy值,也就是占位值.这个占位值的写地址必须紧跟着数据,在同一段内存区域里。【以上为我对原文的翻译，仅供参考】
在这里插入图片描述
结合图片，大意感觉就是如果数据不对齐，在某些特殊情况【复位】下，写操作会异常，之后读出来的值会不对，需要人为的补上一些写操作，达到数据对齐的目的。

针对每一个内存块，ECC控制器是提供单独的事件控制，但是输出给用户是一个全局的中断。
在这里插入图片描述

Flash的ECC防护

同样针对Flash的ECC也是不能关闭的。如果不希望使用，只能不理这个ECC中断和相关标志。ECC的缺点就是当希望把Flash当作EEPROM来用的时候，必须要先擦除后写入。否则需要额外的烧写算法。

另外H7本身有硬件CRC固件保护，这个与ECC互为补充，如果使能了CRC固件校验，那么对Flash 进行读操作的时候，其实隐含的也对整个Flash进行了ECC校验。

Cache的ECC防护

直接说结论了，M7内核在检测到任何指令Cache错误后自动恢复，1位错误能自动纠错并恢复。对两位错误，流水线无效，指令被重新从程序存储区取出。对于数据Cache，两位错误可能会导致在读取旧数据的时候，当前修改的结果丢失。由于没有通知的Cache ECC错误的机制，唯一的解决方法是定时去清理Cache或者干脆不用Cache。