未来高速缓存战场：SOT-MRAM与SRAM的角逐

      随着信息时代的到来，数据的增长速度越来越快，传统的存储技术已经难以满足日益增长的需求。在这种背景下，新型存储技术的研发与推广显得尤为重要。近期，台积电（TSMC）与台湾工业技术研究院（ITRI）共同打造的SOT-MRAM技术引起了广泛关注，被认为是存储技术领域的一大突破。

台积电 芯片研究部门

SOT-MRAM：低功耗、高密度、快速响应

SOT-MRAM（自旋轨道扭矩磁随机存取存储器）是一种基于自旋轨道扭矩效应的新型非易失性存储技术。与传统的存储器相比，SOT-MRAM具有更低的功耗、更高的密度和更快的响应速度，被认为是存储技术领域的一大创新。这项研究在国际电子元件会议（IEDM）同时发表论文。中国台湾经济部门表示，随着人工智能、5G、AIoT时代来临，更快、功耗更低的新世代存储芯片成为关键。

SOT-MRAM技术具有多项突出特点。首先，其低功耗特性使得在不影响性能的情况下能够大幅降低能源消耗。其次，SOT-MRAM的高密度存储能力使得在有限的空间内存储更多的数据成为可能。此外，快速响应的特性也使得数据读取和写入更加高效，为数据存储提供了全新的解决方案。