高通芯片

X20 LTE Modem

2月22日，高通发布了第二代千兆级调制解调器——骁龙X20 LTE Modem，全球首款支持LTE Category 18、可实现高达1.2 Gbps下载速度的芯片组。新增支持LTE广播、超高清语音（EVS编码），以及双卡双VoLTE（DSDV），即两张4G卡都可以实现高清语音

骁龙X20 LTE Modem采用最新的三星10nm LPE工艺制造，下载支持到LTE Cat.18，理论下载速度进一步提高到1.2Gbps（150MB/s）。骁龙X20将为移动设备带来最高1.2Gbps的下载速度（支持5x20 MHz载波聚合，12个最高100Mbps的数据流）。跟上代的X16相比，新品在这项规格上实现了20%的提升，同时上载速度仍维持在150Mbps。

去年年初，高通发布了全球首个LTE-A Pro基带产品——骁龙X16 LTE Modem，成为全球首个支持1Gbps千兆下载速率，目前已经集成在骁龙835处理器中。而最新的X20产品样本已经提供给手机厂商，但首批商用终端预计要到2018年上半年才会正式登场。

骁龙835

骁龙835是高通下一代骁龙处理器，高通骁龙835芯片在2017年初发布，支持Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。

10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。

骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为

Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。

2017年2月 15日，Qualcomm（高通）与华为、沃达丰共同宣布，在土耳其成功开通全球首个LAA商用网络（LTE Assisted Access，免授权频谱LTE辅助接入），这是基于3GPP R13标准的首个LAA商用就绪的网络，该网络基于沃达丰土耳其子网在伊斯坦布尔沃达丰 Arena部署的LampSite，利用5GHz的40MHz免授权频谱和2.6GHz的15MHz授权频谱进行三载波聚合（3CC CA），配合内置X16 LTE Modem的Qualcomm Snapdragon 835芯片手机终端，现场峰值下载速率高达370Mbps。

集成骁龙X16 LTE调制解调器、支持卓越连接性能的Qualcomm最新旗舰移动平台——骁龙835，荣获了2016年度GTI创新技术产品奖

X16 LTE

2016年2月，美国高通公司发布骁龙X16 LTE调制解调器，采用14nm FinFET工艺制程，使用Qualcomm射频收发器WTR5975，支持1Gbps的LTE Cat.16下载速度和最高达150 Mbps的上行速度。

骁龙X16 LTE调制解调器是移动行业首款商用的LTE Advanced Pro调制解调器，它支持面向LTE非授权频谱的全球标准“授权辅助接入”。它能利用跟Cat.9 LTE终端相同数量的频谱实现千兆级LTE速率。通过载波聚合和4x4 MIMO，骁龙X16 LTE调制解调器仅使用3个20 MHz载波即可接收10个独立数据流，对256-QAM的支持可将每个数据流的峰值吞吐量从75Mbps提升至100Mbps。

X16 LTE则能让全球99％的运营商跪倒在地。它虽然使用的频谱数量和LTE Cat.9完全相同，但是不仅仅需要四个20MHz载波聚合、256-QAM，还必须有两个载波聚合的4x4 MIMO多入多出、十个空间流(spatial stream)。

正是借助256-QAM，每一条空间流的最大数据吞吐量从75Mbps提高到100Mbps，最终合并实现了1Gbps。

上传方面它支持两个20MHz载波聚合、64-QAM，最大速度仍然是150Mbps。

X16 LTE还支持LAA(辅助授权接入)、LTE-U，这是未授权频谱的LTE全球标准。LTE-Advcanced Pro(即俗称的4.5G)就会重点使用该技术。

该基带当然是个全网通，通吃LTE FDD、LTE TDD、WCDMA、TD-SCDMA、EV-DO、CDMA 1x、GSM/EDGE和所有相关频谱，并支持LTE双卡、LTE广播、VoLTE。

同时，高通还推出了与之配合的新收发器WRT5975RF，世界上第一个支持千兆级LTE、LAA、LTE-U、5GHz未授权频谱的单芯片射频IC，支持最多四个下载载波聚合、两个上传载波聚合以及3GPPS所有批准频谱。

1       骁龙820

据称骁龙820处理器会成为14nm工艺的迄今为止性能最强大的移动处理器，集成4个64位Dryo核心，3.0GHz高主频，显卡芯片则采用了超强的Adreno530，并且内置极强的MDM9X55 LTE-ACat10（CAT10）调制解调器，下载速度为600Mbps，上传速度为150Mbps(Cat.13 UL)，借助了三个20MHz载波聚合、256-QAM。目前全世界只有大约10％的运营商可以提供相关服务。

1.骁龙820将采用三星/GF的14nm工艺生产

2.骁龙820将于今年6月开始工程流片                                         

3.大规模量产上市将在明年1月~2月份

搭载手机:LG G4 Pro  MstarS700 Pro HTC Aero 索尼Xperia Z5

 竞争对手: MTK的Helio X20,三星的首款自主架构处理器Exynos M1

 

2       骁龙810

         高通首款64位旗舰级处理器，基于20nm工艺制造，使用big.LITTLE架构，集成了四颗Cortex-A57核心和四颗Cortex-A53核心，GPU为Adreno 430，理论性能十分强大。

                                                                 骁龙810参数表

CPU	四核 ARM® Cortex™ A57处理器与64位四核 A53处理器
GPU	Adreno 430 GPU
DSP	Hexagon™ V56 DSP（高达 800MHz）
调制解调器	X10 LTE集成全球模式，支持 LTE FDD、LTE TDD、WCDMA (DC-HSPA+, DC-HSUPA)、CDMA1x、EV-DO、TD-SCDMA和 GSM/EDGE 随着LTE FDD和 LTE TDD支持高达 3x20 MHz的载波聚合，Cat 9速度可高达 450 Mbps 支持 LTE Broadcats解决方案、LTE多模双卡双待和搭载高清语音及 SRVCC VoLTE服务
RF	第四代节能 LTE多模式接收机使用 Qualcomm RF360™前端解决方案，支持全球制式基带，可降低功耗并减少 PCB
USB	USB 3.0/2.0
蓝牙	BT 4.1
WiFi	Qualcomm® VIVE™ 2-stream 802.11ac WiFi解决方案，支持MU-MIMO技术
GPS	Qualcomm® IZat™ Gen8C
NFC	支持
视频	采用 H.264 (AVC) and H.265 (HEVC)格式的 4K拍摄和播放 支持 DASH技术
摄像头	高达 5500万像素摄像头的双核 ISP照相机
显示器	支持4K超高清设备显示与输出到高清电视技术 像素可达1080p，且支持4K外接显示器
快速充电	Qualcomm 快速充电 2.0技术，输出电流高达3A，支持并联充电
内存/存储	LPDDR4 1600MHz 双通道 64位 (25.6GBps)/UFS Gear2 2L eMMC 5.0 SD 3.0 (UHS-I)
处理技术	20nm

 

搭载手机:

 

评价：

 

3       骁龙808

 

CPU	64 位双核 ARM® Cortex™ A57处理器和四核 A53处理器
GPU	Adreno 418 GPU
DSP	Hexagon™ V56 DSP（高达 800MHz）
调制解调器	X10 LTE集成全球模式，支持 LTE FDD、LTE TDD、WCDMA (DC-HSPA+, DC-HSUPA)、CDMA1x、EV-DO、TD-SCDMA和 GSM/EDGE 通过LTE FDD和 LTE TDD 3x20 MHz载波聚合的支持，Cat 9速度可以高达 450 Mbps 支持 LTE Broadcats解决方案、LTE多模双卡双待和搭载高清语音及 SRVCC 的VoLTE服务
RF	第四代节能 LTE多模式接收机使用 Qualcomm RF360™前端解决方案，支持全球制式基带，可降低功耗并减少 PCB
USB	USB 3.0/2.0
蓝牙	BT 4.1
WiFi	Qualcomm® VIVE™ 2-stream 802.11ac WiFi解决方案，支持MU-MIMO技术
GPS	Qualcomm® IZat™ Gen8C
NFC	支持
视频	采用 H.264 (AVC) and H.265 (HEVC)格式的 4K拍摄和播放 支持 DASH技术
摄像头	集成的双核ISP可支持 1.2GP/s吞吐量，图像传感器高达 21MP/8MP
显示器	支持2560x1600超高清设备显示及4K画质输出至高清电视 支持1080p与 4K外接显示器
快速充电	Qualcomm 快速充电 2.0技术，输出电流高达3A，支持并联充电
内存/存储	LPDDR3 933MHz 双通道 32位 (12.8GBps)/eMMC 5.0 SD 3.0 (UHS-I)
处理技术	20nm