Pi, T过滤器匹配RF阻抗-凯利讯半导体

本文介绍了在射频设计中,Pi和T滤波器如何用于匹配阻抗、滤波信号,以及它们在多标准传输中的作用。扼流圈、R/C和L/C滤波器等无源元件也在射频领域扮演重要角色。Pi滤波器由两个电容器包围一个电感器,而T滤波器则使用两个电感器和一个耦合电容器,两者可以实现低通、高通、带通和带阻功能,优化射频系统的性能。选择正确的组件值对于确保功率传输效率和阻抗匹配至关重要。
摘要由CSDN通过智能技术生成

  滤波电路用于从信号中去除不需要的或不需要的组件。当耦合多个信号或波段到天线时,滤波器和T滤波器等阻抗滤波器和T滤波器的网络连接在最后一个从射频收发器到天线的连接上。这些电路不仅能通过一些波段,而且还能对其他的信号进行识别,它们还可以匹配阻抗,并允许双路和循环电路提供全双工双向通信。在设计RF区段时,很高兴知道我们在我们的军火库中有这些部件。

  本文将讨论这些过滤器如何能够拒绝或传递符合特定标准的条带,以及允许通过同一路径进行多标准传输的条带。所有的零件、工具和数据表都可以在数字化的网站上找到。


  硅的局限性

  物理约束不允许单片硅实现高效的全范围性能。过滤器,衰减器,传输线,隔离屏障,浪涌抑制,以及更多的是不能(至少还没有)在硅中有效地(至少还没有)在更大的范围内从其他基体材料中建立起来。

  例如,我们可以在单片机芯片的敏感阶段之间制造一个芯片上的绝缘体。但是,随着电压峰值的增加,硅绝缘子的性能就不能承受更高的电压。另外,除非我们在三维空间中隔离,否则在某一时刻会发生电弧。这也适用于浪涌抑制。一个小区域能耗散、吸收或分流的能量只有这么多。

  关于芯片电容器,介质材料在硅的能力上是有限的。无论是电荷存储还是定时相关,电容器都依赖于间距、面积和介质的物理性质。如果没有较高的介电常数和面积,即使有Miller效应,在芯片上也不可能实现适当大小的电容器。

  因此,许多现代射频场的最优解决方案依赖于外部元件,以与高效天线匹配硅输入/输出级特性,并从不需要的源提供EMI/RFI保护。即使是PCB的痕迹也可以作为元件(传输线)。虽然模拟器很好,但是成功的唯一真正衡量标准是当你能够测试并描述一个完成的设计的时候。


  选择和特征

  单级过滤器可以通过四种方式实现。这些包括了chokes, R/C过滤器,L/C过滤器,以及Pi/T过滤器。这些可以组合成波形,区别,或传递特定的频率。

  扼流圈是电感器或铁氧体珠,表现出电磁磁阻(图1)。它们也可以是识别射频场的有用部分。高频信号不能通过,在这些频率下看起来像电阻。像BournsFB20011-3B-RC这样的部件在给定的频率上被电阻额定,在这种情

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