选择用于氮化镓FET的栅极驱动器IC

　　随着宽带的可用性(WBG)设备，很多电源设计人员已经开始研究基于氮化镓上硅场效应管的优点(GaN-on-Si)为各种新的设计和新应用。与客户保持一致，一些供应商已经开始迎合这种需求。然而，在开始这条路径之前，重要的是理解硅和GaN晶体管之间的关键差异，因为它们的驱动要求相应地不同。

　　与硅MOSFET，氮化镓基场效应晶体管(GaN)运行的速度快得多在较低的栅极阈值电压。此外，对于GaN FET的内部栅极电阻更低，体二极管的反向恢复特性远优于(GRR是零)。有一些输出电容，但它明显低于硅。¹现实中，GaN晶体管提供了一个很低的数字的优点(FOM)由于较低的电阻(RDS(on))和栅极电荷QG同行相比，硅。更重要的是，GaN晶体管不受像MOSFET那样的强负温度系数的影响。因此，对于GaN FET的驱动要求，是否正常或关闭，将完全不同与硅MOSFET。

　　因此，从这些新的高性能晶体管精华充分利用，设计师必须了解如何有效的驱动使两者的传导和GaN FET的开关损耗降至最低。除了实现优化的栅极驱动、PCB布局和热设计考虑，同样重要的还有这些WBG设备实现最佳的系统性能和可靠性。