内存概念理解:RANK,BANK,BURST,INTERLEAVING

本文详细解释了内存中的物理RANK(内存条的物理划分)、逻辑BANK(芯片内部的数据组织)以及Burst(连续读取)等概念,帮助读者理解计算机内存工作原理。

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背景:死磕内存的bank和rank概念的一天。网上的资料都差不多,还是有些地方没理通顺,有什么内存基础知识的书籍可以推荐吗?

物理RANK的概念

当我们给计算机购买内存条时候,上面显示的1RX8, 2RX8,其中R就是rank的意思,X8表示内存颗粒的位宽是8bit。RANK是指物理的内存条概念, 有时也称为P-RBANK(physical RANK)。

现在计算机内存总线一般是64bit,当接入如下图左边的那个内存条时候,每个黑色内存颗粒取1个8bit的数据,有8个这个的黑色内存颗粒就组成了一次总线传输所需要的64bit数据,把这8个黑色内存颗粒理解为1个RANK。2R的话表现为这个芯片正反面都有8个内存颗粒。下图是其中一个Rank的示意。

黑色内存颗粒也可以称为chip,图中每个chip的内存是128MB。每个chip上有8个bank,每个bank可以寻址的二维空间大小是16384*1024。

逻辑BANK的概念

在芯片的内部,内存的数据是以位(bit)为单位写入一张大的矩阵中,每个单元我们称为CELL,只要指定一个行(Row),再指定一个列(Column),就可以准确地定位到某个CELL,这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK,也称之为逻辑BANK(Logical BANK)

下图中,当我们访问一个0x0-0x7地址的数据时候, 因为数据

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