转载：内存的RANK和BANK

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第一部分：BANK

一、内存芯片的逻辑BANK

在存储芯片的内部，内存的数据是以位（bit）位存在的，内存芯片一个重要参数数据位宽（并行数据线条数，决定一次能同时读写多少个bit位），决定一个寻址空间的bit数，这是内存颗粒的最小寻址空间，称为Cell。内存寻址时指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确定位某个Cell。为扩大容量，减小制造难度，每个内存颗粒还将Cell分组，每组Cell组成一个阵列称为Bank，这样内存颗粒还需要寻址Bank，一些厂家将单个Bank内的Cell数量称数据深度。

SDRAM颗粒标注示例：每BANK的Cell数×BANK数量×芯片的数据位宽

镁光MTJ41J256M4-32Meg×4×8banks：8bit*32M*8bank=2048Mb=256MB

二、内存条的物理BANK（RANK）

现在大部分CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。但是单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit。因此，必须把多个颗粒并联起来，组成一个位宽为64bit的数据集合，才可以和CPU互连。

生产商把64bit集合称为一个物理BANK（Physical BANK），简写为P-BANK。为了和逻辑BANK相区分，也经常把P-BANK称为RANK或Physical RANK。当一个内存颗粒为8位时，要设计一款内存条必须要8颗这样的颗粒才能满足64bit数据。

三、内存条的容量与RANK

上节已经说明了内存条设计时必须保证数据位满一个Rank，64bit。按照标准，单根内存条可以设置为单Rank，也可以设置为双Rank，因为CPU在读取不同Rank时存在切换延时，所以在容量相同的情况下单Rank的内存条比较好。也就是说同样容量的内存单Rank的比双Rank的使用内存颗粒集成度高（容量大），内存颗粒少的比内存颗粒多的集成度高（数据位数宽）。

有些内存条大量使用低数据位数、内存储容量的内存颗粒，导致一根内存条占用多个Rank，在读写速度和兼容性方面都会存在问题。

四、内存条标注的“2R×8”和模组面数的关系

内存条标注中的“R”是上文中所讲的Rank 的意思，并不是表示内存颗粒位于单面或者双面。内存条上标准“2R×8”的正确含义是：双Rank内存条，每颗内存颗粒8bit数据位，因此可以计算出内存颗粒的个数=128bit（双Rank）÷8bit=16（颗）。当内存条标签上位“1R×16”时，表明单Rank，16bit位宽颗粒，共有4颗颗粒。