从PN结看二极管part1——其生智控

众所周知，晶体管的根源在于PN结技术，将PN结技术理解透彻，就可以搞明白晶体管的技术，在这里首先从材料科学角度对PN结进行讲解，本文由惠州其生空天科技有限公司资深电子工程师整理总结，并从各个角度对二极管进行深入探讨，以期对广大电子爱好者电子设计提供帮助，文中部分观点仅代表工程师资深管理，仅从探讨角度阐述复杂问题，如有需要，欢迎联络交流。从电子角度看自然物质，物质可以划分为导体、绝缘体、半导体，这三类物质都是重要的电工电子材料。

导体：自然界中容易导电的物质称为导体，金属、电解液一般都是导体。

绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。

半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。

半导体依据物质的纯净度可以分为本征半导体、杂质（掺杂）半导体。

本征半导体（intrinsic semiconductor）是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体，一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。对于本征半导体而言，电子浓度=空穴浓度，单其缺点也很明显，载流子少，导电性差，温度稳定性差。

杂质半导体指在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备杂质半导体时一般按百万分之一数量级的比例在本征半导体中掺杂。也叫掺杂半导体impurity semiconductor。杂质半导体依据掺入杂质的不同，分为N型半导体和P型半导体。

​N 型半导体(Negative)：在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。从物理学角度来看，多出来的这个电子很容易摆脱原子核的控制，而成为游离态自由电子。

P型半导体（Positive）：在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。从物理学角度而言，P型半导体中的杂质元素倾向于获取电子，对电子有极强的束缚力。

有了P型半导体以及N型半导体，并且其性质又是两极型的，所以好事者就将这两种半导体拼凑在一起，如点金术一般，就创造了一个新的事物——PN结。

PN结：在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域交界处所形成的特殊的薄层。

电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动，因为电场强度等因素，导致扩散运动只能在一定的区域进行，而达到电荷平衡，即空间电荷区，这就是PN结，也成为耗尽区。

空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 内电场；

内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。

扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；

当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。

理解了以上PN结的原理，就可以知道PN结自身的性质了。大家都知道PN结有单向导电性，这里再对其单向导电的机理从电子运动学层面进行拆分。

1. PN结 外加正向电压，P∏接正极，N极接负极。此时因外加电场的原因，大量电子从N极向P极扩散，导致原来平衡的PN结耗尽区缩小，当电压足够大时，耗尽区消失，此时正向电流大，PN结处于导通状态。此时的状态叫做PN结正向偏置。这个时候就可以看做PN结为导体。

2. PN结 外加反向电压，即P极接负极，N极接正极，前面咱们说过P极缺少自由电子，而N极中富余自由电子，PN结外加反向电压时，就等于拿一个真空泵抽密闭空间里的空气，越抽则气流越少，表现在PN结上就是PN结变宽了，此时电路不通。

以上就是半导体的单向导电性，感谢惠州其生空天科技有限公司倾情奉献并从物理学原理上去分析就可以很清楚地知道半导体的作用机理，就类似于一个调节阀，正向导通很容易，PN结的内部机理还能促进导通，而反向时就如三峡水闸一样，要提升水位才能让水流反向导通。当然正向偏置时，其过电流也不是无穷大的，也会有一个额定电流的概念，而反向偏置时，也会有一个漏电流的概念，在实际选型应用中需要留意。