IR2301高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器介绍

概述：

        IR2301（S）是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。 专有HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小驱动器交叉传导。 浮动通道可用于驱动工作电压高达600伏的高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。

特性：

•为引导操作而设计的浮动通道完全可用于+ 600V耐负瞬时电压dV / dt免疫

栅极驱动电源电压范围为5至20V

•两个通道的欠压锁定•兼容3.3V，5V和15V输入逻辑

•两个通道的匹配传播延迟

•逻辑和电源地+/- 5V偏移。

•降低di / dt栅极驱动器的抗噪能力

•与输入同相的输出

•也提供无铅（PbF）

封装及引脚描述：

电气特性连接：