基于闪存数据库的CCF-LRU算法优化

2018.5.28

今天查看了关于flashdb中关于缓存算法的数据结构，发现了3dsim的数据结构是不一样的，然后又去看了一遍3Dsim的数据结构，发现flashdb的数据结构实际是可以优化的。下面对这个点简单的分析下。

首先来看下flashdb的数据结构

ftop是模拟内存的顺序存储
ptop是哈希表
LRU链表是缓存替换算法
其中引入的frame_id可以看做是数据在内存中的地址。

首先数据通过pageid，通过哈希索引判断是否在内存中存在，然后通过哈希索引找到内存的地址，然后内存的地址通过LRU链表维护替换算法。这样做是没问题的，问题在于LRU维护的时候没有必要用内存地址去在维护，因为如果通过额外的内存地址去维护，那么实际在LRU链表中还得再遍历一遍，这样开销很大，哈希索引的目的也没有实现。

3Dsim则只用两个数据结构，内存中数据的存放除了数据之外，还有LRU链表维护的指针，然后通过一个平衡树索引数据的地址，通过这个平衡树则找到了数据节点所在的地址，通过这个地址则可以找到LRU链表的位置。不需要再次遍历LRU链表的过程。

那么flashdb这种数据结构可以修改吗，应该如何修改？

答案是肯定的，修改也比较简单，在数组中存放的除了pageid，还可以存放LRU的前后指针即可。

那么当哈希索引到数据的地址时，就可以访问数据的LRU的前后指针。
ok，
1、明天在看完整个flashdb的代码之后，对这个数据结构进行修改。