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原创 理解增强型MOS管
它以一块低掺杂的P型硅片为衬底,利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区,并引出两个电极,分别作为源极s和漏极d,半导体上制作一层SiO2绝缘层,再在SiO2之上制作一层金属铝,引出电极作为栅极g。从以上所述的工作原理来看,增强型MOS管的G极和S极之间是绝缘的,由于SiO2绝缘层的存在,在栅极g和源极s之间等效是一个电容的存在,电压uGS产生电场从而导通继而产生d-s电流,此时的uGS决定d极电流的大小。当uDS较小时,uDS的增大使iD线性增大,沟道沿s-d方向逐渐变窄,如下图。一旦uDS增大到使uGD=
2024-07-03 10:59:35
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原创 stm32的启动流程
4. 这里的_main不是用户程序里面的main(),这是编译系统提供的一个函数,__main负责完成库函数的初始化和初始化应用程序执行环境,最后自动跳转到main(),不再返回。将堆的结束地址给R2。2.向量表从 0地址开始放置,以4字节为一个单位,地址0存放的是栈顶地址(此时栈为空),0x4存放的是复位程序的地址,以此类推。__initial_sp 表示栈的结束地址,栈是由高地址向低地址生长的,所以__initial_sp 指向的是栈底指针。分配的栈的大小空间是Stack_Size。
2024-07-02 21:30:30
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原创 Stm32的寄存器和堆栈
栈是先入后出的数据结构,栈底的指针是不变的,随着入栈和出栈的操作,栈顶的指针是可变的。对于R13和R14,每个寄存器对应6个不同的物理寄存器,用户模式与系统模式公用R13_usr和R14_usr,另外 5种不同的运行模式各对应不同的物理寄存器,采用以下记号来区分: _fiq,_irq,_svc,_abt,_und.对于R8~R12,每个寄存器对应2个不同的物理寄存器,快速中断模式(FIQ)访问的是R8_fiq~R12_fiq,除此以外的其他模式访问的是R8_usr~R12_usr。
2024-07-02 07:31:35
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空空如也
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