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RSS订阅原创 理解增强型MOS管
它以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别作为源极s和漏极d，半导体上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝，引出电极作为栅极g。从以上所述的工作原理来看，增强型MOS管的G极和S极之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极g和源极s之间等效是一个电容的存在，电压uGS产生电场从而导通继而产生d-s电流，此时的uGS决定d极电流的大小。当uDS较小时，uDS的增大使iD线性增大，沟道沿s-d方向逐渐变窄，如下图。一旦uDS增大到使uGD=
2024-07-03 10:59:35
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原创 stm32的启动流程
4. 这里的_main不是用户程序里面的main（），这是编译系统提供的一个函数，__main负责完成库函数的初始化和初始化应用程序执行环境，最后自动跳转到main（），不再返回。将堆的结束地址给R2。2．向量表从 0地址开始放置，以4字节为一个单位，地址0存放的是栈顶地址（此时栈为空），0x4存放的是复位程序的地址，以此类推。__initial_sp 表示栈的结束地址，栈是由高地址向低地址生长的，所以__initial_sp 指向的是栈底指针。分配的栈的大小空间是Stack_Size。
2024-07-02 21:30:30
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原创 Stm32的寄存器和堆栈
栈是先入后出的数据结构，栈底的指针是不变的，随着入栈和出栈的操作，栈顶的指针是可变的。对于R13和R14，每个寄存器对应6个不同的物理寄存器，用户模式与系统模式公用R13_usr和R14_usr，另外 5种不同的运行模式各对应不同的物理寄存器，采用以下记号来区分： _fiq,_irq,_svc,_abt,_und.对于R8~R12，每个寄存器对应2个不同的物理寄存器，快速中断模式（FIQ）访问的是R8_fiq~R12_fiq，除此以外的其他模式访问的是R8_usr~R12_usr。
2024-07-02 07:31:35
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空空如也
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