理解增强型MOS管

作为一个能接触到硬件的底层驱动编程人员，能看懂原理图即可，下面就以这个角度来聊一下对MOS管的认识。

翻看模拟电路基础这本书，找到场效应管这一章节，讲述了场效应管的分类有以下几种：结型场效应管和绝缘栅型场效应管。结型场效应管在工作经历中很少遇到，只在特定的应用中发挥作用。应用较多的是绝缘栅型场效应管。绝缘栅型场效应管又叫MOS管，又可分类为增强型和耗尽型。耗尽型的MOS管在应用中也是很少看到，应用最多的还要数增强型MOS管，下面着重地了解一下增强型MOS管。

增强型MOS管分为P沟道和N沟道。

以N沟道为例。图示是N沟道增强型MOS管的结构示意图。它以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别作为源极s和漏极d，半导体上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝，引出电极作为栅极g。通常将衬底与源极s接在一起使用。这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。当栅-源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

图一

1. N沟道增强型MOS管工作原理

当g-s之间不加电压时，d-s之间是两个背向的PN节，不存在导电沟道，因此即使d-s之间加电压，也不会有漏极电流。

当uDS=0且uGS>0时，由于SiO2的存在，g极电流为零。但是g极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近SiO2一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层。当uGS增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，成为反型层。这个反型层就构成了d-s之间的导电沟道。如图。

图二

使沟道刚刚形成的g-s电压称为开启电压UGS(th)。uGS越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。

当uGS时大于UGS(th)的一个确定值时，若在d-s之间加正向电压，则将产生一定的漏极电流。当uDS较小时，uDS的增大使iD线性增大，沟道沿s-d方向逐渐变窄，如下图。一旦uDS增大到使uGD= UGS(th)（uDS = uGS - UGS(th)），沟道在d极一侧出现夹断点，称为预夹断。如果uDS继续增大，夹断区随之延长，而uDS的增大部分几乎全部用于克服夹断区对d极电流的阻力。从外部看，iD几乎不因uDS的增大而变化，管子进入横流区，iD几乎仅决定于uGS。如下图。

图三

在uDS > uGS - UGS(th) 时，对应于每一个uGS就有一个确定的iD。此时可以将iD视为电压uGS控制的电流源。

2. N沟道增强型MOS特性曲线（定性地了解一下）

下图所示分别为N沟道增强型MOS管的转移特性曲线和输出特性曲线。

图四

3. P沟道增强型MOS管

与N沟道增强型MOS管相对应，P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th)<0，当uGS时小于UGS(th)时管子才导通，d-s之间应加负电源电压。

4. 总结

从以上所述的工作原理来看，增强型MOS管的G极和S极之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极g和源极s之间等效是一个电容的存在，电压uGS产生电场从而导通继而产生d-s电流，此时的uGS决定d极电流的大小。它是电压控制电流的器件，导通特性呈纯阻性，输入特性呈电容特性，输入阻抗极高。

5. 电压极性和符号规则

D代表漏极，s代表源极，g代表栅极。如图一所示，中间的箭头表示衬底。箭头向里表示N沟道，箭头向外表示P沟道。

在生产过程中，衬底在出厂前会和源极相连，所以表示衬底的箭头也必须和源极相连，用以区别源极和漏极。

增强型MOS管的电压极性和普通三极管的电压极性类似。N沟道类似于NPN晶体管，d极接正极，s极接负极，g极为正电压时导通。P沟道类似于PNP晶体管，d极接负极，s极接正极，g电压为负时导通。

相信知道了这些，在工作中再遇到增强型MOS管就不会陌生啦。