使用全桥配置的GCMX040A120B3H1P、GCMX040A120B2H1P、GCMX020A120B2H1P、GCMX080A120B2H1P(1200V)高效紧凑型MOSFET模块

推出太阳能逆变器和电动汽车充电用全桥配置的高效紧凑型MOSFET模块，这些高性能1200V SiC模块经过1400V以上的测试，旨在在高频和高功率环境中可靠运行。

特征

全桥模块
高速开关SiC MOSFETs
可靠的体二极管
所有零件测试电压均高于1350伏
直接安装到散热器上（隔离封装）
稳定工作的开尔文基准电压源
低开关损耗
低结至外壳热阻
非常坚固且易于安装

使用全桥配置的GCMX040A120B3H1P、GCMX040A120B2H1P、GCMX020A120B2H1P、GCMX080A120B2H1P(1200V)高效紧凑型MOSFET模块 —— 明佳达

器件参数

GCMX080A120B2H1P
技术：碳化硅（SiC）
配置：4 N 沟道（全桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：56nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1362pF @ 800V
功率 - 最大值：119W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

GCMX020A120B2H1P
技术：碳化硅（SiC）
配置：4 N 沟道（全桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：102A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：222nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5600pF @ 800V
功率 - 最大值：333W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

GCMX040A120B2H1P
技术：碳化硅（SiC）
配置：4 N 沟道（全桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：121nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3200pF @ 800V
功率 - 最大值：217W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

GCMX040A120B3H1P
技术：碳化硅（SiC）
配置：4 N 沟道（全桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：53A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：125nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3200pF @ 800V
功率 - 最大值：208W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

典型应用

• 光伏逆变器
• 蓄电池充电器
• 储能系统
• 高压直流-DC转换器

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