对于非电子专业人员来说,MOSFET有耗尽型和增强型之分,也有P沟道和N沟道之分。那么怎么识别以及怎么使用呢。下面,本人谈一下自己的浅见,如有不足之处,请留言斧正。
1)P沟道与N沟道的识别。
MOSFET在导通时,传输电流的层为P沟道的,则为P沟道MOSFET;传输电流的层为N沟道的,则为N沟道MOSFET。
从原理图中看的话,可以看图上中漏极源极下方所示的为N型硅还是P型硅。
从代表符号上来识别的话,则是可以看中间短线上的箭头方向,向内则为N沟道,向外则为P沟道。(想象PN结的指向,P在箭尾,N在箭头,靠近短线的则表明其属性)
2)耗尽型与增强型的识别。
由于MOSFET的导电能力就是在导电沟道形成的时候才具备的,形成沟道则认为其导通,沟道消失则认为其断开,沟道形成与断开均受VGS的控制。
耗尽型MOSFET表示,其沟道在不加电压Vgs的时候,是存在的,可以理解为常闭开关。但是在满足控制要求的电压后,则为断开。Vgs的作用就是通过电压,使沟道中的多子消散,从而使导电沟道中断,电流无法流通,开关断开。
增加型MOSFET则表示,其沟道在不加电压Vgs的时候,是不存在的,即理解为常开开关。但是在满足控制要求的电压后,则为闭合。Vgs的作用就是通过电压,使沟道中的多子汇聚,从而形成导电沟道,电流可以流通,开关闭合。
从代表符号上识别的方法,则看中部与门极紧邻的线为三条断线还是一条长线。三根断线则表示沟道本来不存在,本来为断开,加Vgs后才可闭合