MOSFET类型识别小结

本文介绍了如何识别和使用MOSFET,包括P沟道与N沟道、耗尽型与增强型的区别,以及源极和漏极的辨认。内容涉及MOSFET的工作原理、符号特征及电流流向,旨在帮助非电子专业人员理解和避免操作误区。
摘要由CSDN通过智能技术生成

对于非电子专业人员来说,MOSFET有耗尽型和增强型之分,也有P沟道和N沟道之分。那么怎么识别以及怎么使用呢。下面,本人谈一下自己的浅见,如有不足之处,请留言斧正。

1)P沟道与N沟道的识别。

MOSFET在导通时,传输电流的层为P沟道的,则为P沟道MOSFET;传输电流的层为N沟道的,则为N沟道MOSFET。

从原理图中看的话,可以看图上中漏极源极下方所示的为N型硅还是P型硅。

从代表符号上来识别的话,则是可以看中间短线上的箭头方向,向内则为N沟道,向外则为P沟道。(想象PN结的指向,P在箭尾,N在箭头,靠近短线的则表明其属性)

2)耗尽型与增强型的识别。

由于MOSFET的导电能力就是在导电沟道形成的时候才具备的,形成沟道则认为其导通,沟道消失则认为其断开,沟道形成与断开均受VGS的控制。

耗尽型MOSFET表示,其沟道在不加电压Vgs的时候,是存在的,可以理解为常闭开关。但是在满足控制要求的电压后,则为断开。Vgs的作用就是通过电压,使沟道中的多子消散,从而使导电沟道中断,电流无法流通,开关断开。

增加型MOSFET则表示,其沟道在不加电压Vgs的时候,是不存在的,即理解为常开开关。但是在满足控制要求的电压后,则为闭合。Vgs的作用就是通过电压,使沟道中的多子汇聚,从而形成导电沟道,电流可以流通,开关闭合。

从代表符号上识别的方法,则看中部与门极紧邻的线为三条断线还是一条长线。三根断线则表示沟道本来不存在,本来为断开,加Vgs后才可闭合

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电机驱动系统中,通常会采用功率转换电路对电机进行控制,而全桥MOSFET拓扑结构就是其中一种常用的方式。全桥拓扑结构由四个MOSFET组成两个半桥,通过组合导通和截止的状态,可以实现对电流的正向、反向流动的控制,适用于三相电机的驱动。 ### 全桥MOSFET类型的介绍 #### MOSFET(金属氧化物半导体场效应管) 全桥MOSFET指的是在全桥结构中使用的MOSFET器件。它们拥有较高的开关速度和较低的导通电阻,因此在现代电机驱动应用中非常受欢迎。MOSFET的特性使得其能够高效地切换电流方向,进而驱动电机旋转。 #### 工作原理 在一个全桥电路中,四个MOSFET分别连接到交流电源的一个相位和其他三个相位之间。当需要向某个负载供电时,相应的MOSFET导通,允许电流流通;其余的MOSFET处于截止状态,切断电流路径。这种交替导通和截止的过程形成了电流的正负脉冲,从而驱动电机运行。 #### 类型举例 - **NMOS和PMOS**:NMOS(增强型)和PMOS(耗尽型)MOSFET都可以用于全桥电路,前者需要栅极电压高于源极电压才能开启,后者则无需额外的电压就能开启。选择哪种类型取决于具体的电路需求和设计考虑。 - **快速型MOSFET**:这类MOSFET旨在提供更快的开关速度,减少电力损耗,并提高效率。 - **肖特基二极管**:为了进一步降低电路的导通损耗,可能会在每个MOSFET上串联一个肖特基二极管,这些二极管在电路断开时帮助保持电压稳定。 #### 应用 全桥MOSFET在工业自动化设备、家用电器、电动汽车以及各种电机驱动控制系统中广泛应用,特别是在要求高效率和快速响应的应用场景里。 ###
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