s3c2440存储器地址

最新推荐文章于 2024-04-30 10:50:41 发布

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分类专栏：嵌入式开发

本文链接：https://blog.csdn.net/u014379540/article/details/52239197

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本文介绍了S3C2440处理器的存储器地址映射，包括ROM（如NOR和NAND FLASH）和RAM（如SDRAM）的类型与特点。S3C2440可通过BANK线解决地址线不足的问题，实现1G的寻址空间。文章详细阐述了NOR和NAND FLASH的区别，以及在不同启动模式下的地址空间分布。此外，还讨论了内部SRAM（垫脚石）在NAND启动过程中的作用，以及4G地址空间的分配情况。

摘要由CSDN通过智能技术生成

s3c2440 存储器地址映射关系

在介绍内存工作原理之前有必要了解下存储设备的存储方式：ROM，RAM

l ROM(Read-Only Memory)：只读存储器，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。如：PC里面的BIOS。在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。

2 RAM(Random Access Memory) ：随机访问存储器，存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。可以理解为，当你给定一个随机有效的访问地址，RAM会返回其存储内容(随机寻址)，它访问速度与地址的无关。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间内随机访问使用的程序。计算机系统里内存地址是一个四字节对齐的地址（32位机），CPU的取指，执行，存储都是通过地址进行的，因此它可以用来做内存。

电脑硬盘是磁盘,是磁记录的一种，是外置存储器，不是ROM也不算RAM；ROM是固化系统基本程序，如电脑的BIOS；RAM是电脑的内存，平常说几个G内存就是指的RAM。

RAM按照硬件设计的不同，随机存储器又分为DRAM（Dynamic RAM)动态随机存储器和SRAM（Static RAM) 静态随机存储器。

l DRAM：它的基本原件是小电容，电容可以在两个极板上短时间内保留电荷，可以通过两极之间有无电压差代表计算机里的0和1，由于电容的物理特性，要定期的为其充电，否则数据会丢失。对电容的充电过程叫做刷新，但是制作工艺较简单，体积小，便于集成化，经常做为计算机里内存制作原件。比如：PC的内存，SDRAM, DDR, DDR2, DDR3等，缺点：由于要定期刷新存储介质，存取速度较慢。

2 SRAM：它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此其存取速度快，但是体积较大，功耗大，成本高，常用作存储容量不高，但存取速度快的场合，比如CPU的L1 cache，L2cache(一级，二级缓存) ，寄存器。

为了满足开发的需要MINI2440在出厂时搭载了三种存储介质(外设)：

（1）NOR FLASH（2M）：ROM存储器，通常用来保存BootLoader，引导系统启动（可擦除）

（2）NAND FLASH（256M，型号不一样，Nandflash大小不一样）：保存操作系统映像文件和文件系统

（3）SDRAM（64M）：内存，执行程序

NORFLASH：它的特点是支持XIP芯片内执行（eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，也就是说可以随机寻址。NOR FLASH的成本较高。

NAND FLASH