本文介绍了一种使用NE555芯片设计的延时电路，目标是生成180ms周期，其中高电平100ms的信号。通过选择RA=3k，RB=12k，C=10uF，计算得到理论频率为9.93Hz，实际搭建电路后，测得周期为160ms，高电平88ms，低电平72ms。理论与实践存在误差，推测可能源于电容容差，建议通过参数微调优化。
近期设计一个采用NE555来延时的电路，主要想实现输出周期为180ms左右，高电平100ms的电路。
1、参考NE555芯片规格手册，得到如下信息：
得到稳定pwm波形的电路如下
从图中可以很清晰的了解到该部分电路该如何设计，主要使用了器件有三个：RA、RB和C，他们三者之间的关系为：f = 1.49/((Ra+Rb)*C)
这里我们不妨取：Ra = 3k
Rb = 12k
C = 10uF
依照计算公式可得：f = 1.49/((3000+12000)*(10^(-6))= 9.93Hz T=1/f = 100ms
2、我们使用NE
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