unbreakableee的博客

对于300K 的bulk mosfet，重要的参数大概有这么多。调整合适的IV是一个枯燥且花时间的过程。希望能节省读者的时间。邮箱：rujia_sj@sjtu.edu.cn。

在使用sentaurus TCAD的过程中，我们往往需要调试最后sdevice跑出来的Ion和Ioff大小。1. 得到更好的器件性能；2. 和实验中/文献中的IV曲线对上；从影响因素上看，往往可以从器件的几何结构，器件掺杂和物理模型三个方面讨论。从调试思路上看，为了校准IV，可以先调IV的shape，再校准Ioff，最后校准Ion。这里，我们以bulk CMOS为例。首先用sde搭建一个几何模型，如图所示：具体实现代码如下：（其中包含了许多可以调整的几何参数，有兴趣的同学可以自己设置）sde中参数设置