Sentaurus TCAD 学习记录2（影响Ioff Ion的参数）

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已于 2025-04-22 15:24:12 修改

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分类专栏：半导体物理 TCAD 文章标签：学习 sentaurus TCAD 半导体器件仿真 TCAD

于 2025-04-22 15:23:26 首次发布

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在上一篇笔记中，我们提供了bulk MOSFET的sde和sdevice代码。
这一篇，我们来讨论，对于300K的bulk MOSFET，有哪些影响它IV的参数。

1. 几何参数

基底的高度H：在1-3um内，基本无影响。

基地的宽度W【重要】，栅宽W：如果结构在W方向拉伸的，那么电流大小跟W成正比。可以理解为I=I/微米*W；

S/D之间的距离【重要】：距离越小,Ion越大，Ioff越大。

总长度L：Ion会随L增大而增大，在2-3um到达饱和。

氧化层Tox厚度【重要】：对Vd=0.1V，Vg-Id的shape有较大影响。一般来说越薄栅控能力越好，Ion越大，Ioff越小。

2. 掺杂浓度【重要】

衬底掺杂浓度 dop_sub: 1e15-1e17 一般低掺杂, 降低dop_sub 一般增大Ion和Ioff

S/D 掺杂浓度 dop_sd: 1e17-1e20 ，增大掺杂浓度可以提高Ion

S/D 掺杂深度 d_sd: 50nm以内，深度越深 Ion越大最后饱和

LDD 掺杂浓度 dop_ldd: 1e18-1e19

LDD 掺杂深度 h_ldd：10-20nm

LDD 掺杂长度 l_ldd: 10-20nm 为了降低Ioff 可以适当把LDD区变长变薄

3.迁移率大小【重要】

迁移率对Ion Ioff的影响是很重要且直观的。在Sentaurus TCAD内有很多迁移率模型。

3.1 默认迁移率模型

修改迁移率的方法：如果在sdevice内没有选择特定的moility模型，比如PhuMob,那么调用的是默认的迁移率模型。直接在parameter文件中修改即可。

#define ParFileDir .

Material = "Silicon"
{	
   
* mu_const = mumax (T/T0)^(-Exponent)

ConstantMobility:
{
mumax=@mu@, 4.7e2
Exponent=@exp@,1.2   *1.5
mutunnel=@mutunnel@,0.05 *0.05
deltheta=@deltheta@,0.43
}
}

这里的mumax 默认是1470（电子）和4.7E2 (空穴)。

为了方便调参，可以写成@mu@，再在sdevice中调不同参数。

mu的大小对Ioff基本没有影响，电压越大影响越大。把迁移率从1470调到5000，Ion的变化不超过15%。

Exponent 参数，由公式可知，只对非300K下的迁移率有影响。

3.2 用高场饱和模型调Ion

有时会遇到，Vg=0.8-1.2V区间，电流已经饱和但是我们需要在这个区间使电流继续增大。

这个时候可以调用HighFieldSaturation模型。【可以和默认mobility模型一起用】

如下图：（sdevice文件中加）

Physics {
temperature=@T@   #
Fermi               
Mobility (
HighFieldSaturation(DensityDependentVsat)
)
}

饱和速度在parameter文件中调整

#define ParFileDir .
Material = "Silicon"
{	   
HighFieldDependence:
{
Vsat_Formula=1,1
vsat0=@vsat0@,@vsat1@ *1e1e7  8E6
vsatexp=@vexp@,0.52
}
}

为了增大Ion，可以调大vsat0。

【note】：有时候我们在手册中找具体模型参数的调整方法很麻烦。这个时候有一种简单方法：

在材料.par文件中直接ctrl+F 对应模型，即可找到对应模板。

3.3 Philips Unified Mobility Model

有时为了严谨考虑散射对迁移率的影响，例如低温条件下。我们需要用Philips Unified Mobility

Model 模型。这时不能通过constantmobiilty改迁移率了。在sdevice中调用方法如下：

Physics {
Mobility (
PhuMob
)
}

在.para中模板如下：主要修改mumax_As或mumax_B(取决于掺杂种类)，具体公式可以找help 手册。

4. 其他

WF【重要】：nmos功函数的范围要在4.0-4.5v之内。对nmos，WF越大，Ioff越小。笔者一般对上Ion之后，Ioff跟理想差一点时，会调整WF的大小。

总结：对于300K 的bulk mosfet，重要的参数大概有这么多。调整合适的IV是一个枯燥且花时间的过程。希望能节省读者的时间。

邮箱：rujia_sj@sjtu.edu.cn