42、科技助力：电子器件与事故救援系统的创新应用

科技助力：电子器件与事故救援系统的创新应用

1. 电子器件性能评估

在电子器件领域，对基于间隔层的 DG - RFET 器件进行了温度相关的直流、模拟和射频性能评估，并与依赖带间隧穿（BTBT）来产生导通电流的其他器件（如 TFET）进行了比较。

1.1 性能优势分析

• 导通电流机制 ：与 SiGe 和全硅 TFET 中依赖陷阱辅助隧穿（TAT）的电流传导机制不同，基于 BTBT 的导通状态电流对所提出的晶体管有益，因为它具有出色的模拟性能。
• 本征延迟和射频性能 ：该器件显示出较低的本征延迟，并在截止频率（fT）和增益 - 带宽积（GBW）方面改善了射频优值。这主要是由于增强的导通电流（ION）、更高的跨导（gm）和更低的本征电容（CGS）。
• 逆变器延迟 ：与传统的 RFET 器件相比，改进的电气性能还体现在更低的逆变器延迟上。

器件特性	DG - RFET 优势体现
导通电流机制	BTBT 优于 TAT，模拟性能出色
本征延迟	较低
射频优值（fT 和 GBW）	改善