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RSS订阅原创 SQD25N06-22L-GE3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为24mΩ，这有助于降低功率损耗，提高效率。1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为60V，适用于中等功率电路设计。3. **电源开关：** 适用于开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正电路等功率控制模块中。2. **额定电流（ID）：** 具有45A的额定电流，适用于需要大电流承载能力的应用。- **品牌：** VBsemi。- **封装：** TO252。**适用领域和模块举例：****详细参数说明：**
2024-11-08 11:15:02
221
原创 9431GH-HF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
它采用 TO252 封装，具有负向栅极电压（VGS）为 60V、漏极电流（ID）为 45A、导通电阻（RDS(ON)）为 24mΩ@VGS=10V、阈值电压（Vth）为 1.8V 等特性。3. 工业自动化设备：9431GH-HF-VB 适用于各种工业自动化设备的电源管理和电机驱动，如机器人、自动化生产线和工业机械，提高设备的效率和控制精度。1. 电源开关模块：9431GH-HF-VB 可用于电源开关模块中，如开关电源、DC-DC 变换器和稳压器，以提供高效的功率转换和稳定的电源输出。- 封装：TO252。
2024-11-08 11:13:40
240
原创 SQD15N06-42L-GE3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
2. **电池保护**：适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块，实现对电池的过充、过放和短路保护，提高电池的安全性和使用寿命。5. **LED驱动**：作为LED驱动器的一部分，可用于LED照明系统中，实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。1. **电源管理**：可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等电源管理模块，实现高效能量转换和稳定的电源输出。4. **电机驱动**：适用于小功率电机驱动应用，如风扇、水泵和电动工具等，提供高效、稳定的电机驱动和控制。**适用领域和模块：**
2024-11-08 11:12:01
201
原创 SQ3460EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
1. **电源管理模块**：SQ3460EV-T1-GE3-VB可用于设计电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和充电管理系统，以实现高效的能量转换和稳定的输出电压。3. **开关电源**：SQ3460EV-T1-GE3-VB适用于设计开关电源模块，如电源适配器、电源开关和直流-直流转换器，以满足各种电子设备的电源需求。4. **LED驱动器**：在LED照明领域，该器件可用于LED驱动器和照明控制模块，以实现精确的电流调节和亮度控制，提高LED照明系统的能效和可靠性。**适用领域和模块：**
2024-11-08 11:10:55
124
原创 SQ3456EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
4. **LED照明：** 在LED灯条、LED灯泡和汽车灯光系统中，SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于LED驱动电路，实现对LED的亮度和颜色的控制，提升照明效果和节能性能。2. **电机驱动：** 在电动工具、小型电动车和家用电器中，SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于电机驱动电路，控制电机的启停和速度，提高设备的性能和效率。1. **电源管理：** SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于低压降的电源开关电路、电源管理单元和DC-DC转换器中，实现对电源的高效控制和管理。
2024-11-08 11:09:53
103
原创 SQ3456BEV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为30mΩ，这有助于降低功率损耗，提高效率。1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为30V，适用于低电压电路设计。2. **额定电流（ID）：** 具有6A的额定电流，适用于小功率电路和开关应用。3. **电源管理：** 适用于小功率电源中的开关电源和DC-DC转换器等应用。- **封装：** SOT23-6。- **品牌：** VBsemi。**适用领域和模块举例：****详细参数说明：**
2024-11-08 11:08:17
151
原创 SQ3418EEV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
SQ3418EEV-T1-GE3-VB具有高性能和可靠性，适用于电源管理、电池保护、电流控制、LED驱动和电机驱动等多种领域和模块，为电路设计提供了灵活和可靠的解决方案。2. **电池保护**：适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块，实现对电池的过充、过放和短路保护，提高电池的安全性和使用寿命。4. **LED驱动**：作为LED驱动器的一部分，可用于LED照明系统中，实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。- 封装类型：SOT23-6。**适用领域和模块：****详细参数说明：**
2024-11-08 11:03:24
259
原创 SQ3410EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
3. **移动设备**：SQ3410EV-T1-GE3-VB适用于移动设备中的电源管理、充电管理和功率控制模块，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备，以确保稳定的电源供应和高效的能量管理。1. **电源管理模块**：SQ3410EV-T1-GE3-VB可用于设计电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和电池管理系统，以提供高效能量转换和稳定的输出电压。4. **LED照明**：在LED照明系统中，该器件可用于LED驱动器和照明控制模块，以实现精确的电流调节和亮度控制，提高照明系统的能效和可靠性。
2024-11-08 10:45:36
123
原创 SPP5413T252RG-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管
4. **电源保护：** 在电源管理系统中，SPP5413T252RG-VB可用于电源保护电路，实现对电路和设备的过压、过流和过热保护，确保系统的安全稳定运行。3. **电机驱动：** 在电动车辆、机器人和工业驱动系统中，SPP5413T252RG-VB可用于电机驱动电路，控制电机的速度和转向，实现对设备的精准控制。1. **功率管理：** SPP5413T252RG-VB可用于功率开关电路、DC-DC转换器和功率放大器中，实现对功率的高效调节和控制。**适用领域和模块示例：****详细参数说明：**
2024-11-08 10:42:52
242
原创 SPN3456ST6RGB-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
1. **额定电压（VDS）：** 30V的额定电压使得该MOSFET能够处理低电压信号，适用于电路设计中的低电压应用。3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻仅为30mΩ，这有助于降低导通损耗，提高效率。2. **额定电流（ID）：** 6A的额定电流适用于较低功率的电路设计，例如小型电源和电路开关。4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.2V，这使得器件易于控制和驱动。- **封装：** SOT23-6。- **品牌：** VBsemi。**详细参数说明：**
2024-11-08 10:38:05
102
原创 SPN3446ST6RG-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
### 产品简介SPN3446ST6RG-VB是VBsemi品牌生产的N沟道场效应管（MOSFET），具有低电压、低导通电阻和高电流特性。该器件采用SOT23-6封装，适用于各种低压功率电子应用。### 详细参数说明- **通道类型：** N—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** 30V- **最大漏极电流 (ID):** 6A- **导通电阻 (RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS
2024-11-08 10:36:17
203
原创 SPN3446ST6RGB-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
2. **电池保护**：适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块，实现对电池的过充、过放和短路保护，提高电池的安全性和使用寿命。4. **LED驱动**：作为LED驱动器的一部分，可用于LED照明系统中，实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。1. **电源管理**：可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等电源管理模块，实现高效能量转换和稳定的电源输出。5. **电机驱动**：适用于小功率电机驱动应用，如风扇、水泵和电动工具等，提供高效、稳定的电机驱动和控制。**适用领域和模块：**
2024-11-08 10:33:11
215
原创 9870GH-HF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
它具有以下主要特性：工作电压为 60V，最大漏极电流可达 45A，漏源电阻为 24mΩ（在 VGS=10V 时），且阈值电压为 1.8V。- 工业控制：在工业自动化系统中，可用于开关和调节高功率负载，如电机驱动和电炉控制。- LED 照明：适用于 LED 驱动电路，提供高效的电流调节和开关控制。这些示例说明了 9870GH-HF-VB 在各种应用领域中的潜在用途，其高性能和可靠性使其成为许多电力控制和开关应用的理想选择。- 电动车辆：可用于电动车辆的驱动控制，包括电机控制、电池管理和充电系统。
2024-11-08 10:25:19
88
原创 9971GH-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
产品简介：9971GH-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管，具有60V的耐压能力和45A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V，VGS=20V，以及Vth=1.8V。该晶体管采用TO252封装，适用于多种应用场合。详细参数说明：- 品牌: VBsemi- 型号: 9971GH-VB- 沟道类型: N-Channel- 耐压: 60V- 电流承受能力: 45A- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=10V- 阈值电压(Vth): 1.
2024-11-08 10:23:56
89
原创 SM2700CSC-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=4.5V时，正向通道的导通电阻为20mΩ，而反向通道的导通电阻为70mΩ，这有助于减少导通损耗，并提高效率。2. **额定电流（ID）：** 7A的正向额定电流和-4.5A的反向额定电流，提供了足够的电流容量，适用于中等功率负载的开关控制。4. **阈值电压（Vth）：** 正向通道的阈值电压为0.71V，反向通道的阈值电压为-0.81V，这使得器件易于控制和驱动。- **封装：** SOT23-6。- **品牌：** VBsemi。
2024-11-07 11:51:00
118
原创 SM2620CSC-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 20mΩ @ VGS = 4.5V。- **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS
2024-11-07 11:49:43
314
原创 SM2610NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
2. **电池保护电路**：在电池供电的电路中，SM2610NSC-VB可用于电池保护，防止过充、过放和过流等情况，保护电池和电路的安全运行。3. **LED驱动器**：作为LED驱动器的一部分，该器件可用于LED照明应用中，控制LED的电流和亮度，实现高效能的照明系统。1. **电源管理模块**：该MOSFET可用于电源管理模块中的功率开关和电流控制，例如DC-DC转换器、电源选择开关等。4. **电机驱动器**：适用于小型电机的驱动器，如风扇、泵等，帮助实现电机的高效驱动和控制。**详细参数说明：**
2024-11-07 11:48:06
123
原创 SM2604NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **功率逆变器**：该器件适用于低功率功率逆变器模块，如太阳能逆变器、UPS系统和电动车辆逆变器。1. **电源管理**：SM2604NSC-VB可用于低功率电源管理模块中，如开关电源、电池充放电管理和DC-DC转换器。3. **电子开关**：SM2604NSC-VB可用作电子开关，用于控制各种电路的开关和切换。2. **驱动器**：在各种驱动器模块中，如LED驱动器、电机驱动器和电磁铁驱动器，该器件可用于实现高效的电流控制和精确的开关调节，提高驱动器的性能和可靠性。**适用领域和模块：**
2024-11-07 11:46:19
225
原创 SM2602NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **LED驱动：** 在LED照明应用中，SM2602NSC-VB可用于LED驱动器电路中，实现对LED灯珠的电流控制和调节，提高LED照明系统的效率和稳定性。4. **电机驱动：** 在小型电机驱动应用中，如风扇驱动、电动工具和电动玩具等，SM2602NSC-VB可用于电机驱动器电路中，实现对电机的控制和调节。1. **电源管理：** SM2602NSC-VB可用于电源管理系统中的开关电源、直流-直流转换器和DC/DC升压/降压模块，实现高效的电能转换和调节。**适用领域和模块示例：**
2024-11-07 11:43:58
183
原创 SIHFL9014T-E3-VB一款P—Channel沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为58mΩ，提供较低的导通损耗，有助于降低功率消耗和提高效率。2. **额定电流（ID）：** -6.5A的额定电流可满足中等到大功率负载的需求，如电机驱动器和电源开关等。1. **额定电压（VDS）：** -60V的额定电压使得该MOSFET适用于负载开关和反向电源等应用场景。4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压范围从-1V至-3V，使得器件易于控制，适用于各种电路设计。- **品牌：** VBsemi。
2024-11-07 11:41:12
215
原创 SI3588DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电源选择开关**：由于器件包含N-Channel和P-Channel沟道，可用作电源选择开关，实现电路中不同电源的切换功能，例如电池供电和外部电源供电之间的切换。4. **电池管理系统**：在电池充放电管理系统中，SI3588DV-T1-GE3-VB可用于充电和放电控制，帮助实现电池充电、放电过程中的电流和电压管理。2. **电机驱动器**：SI3588DV-T1-GE3-VB可用于电机驱动器，包括直流电机驱动、步进电机驱动等，适用于工业自动化、汽车电子等领域。**适用领域和模块：**
2024-11-07 11:37:25
273
原创 SI3586DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理**：SI3586DV-T1-GE3-VB可用于低功率电源管理模块中，如电源开关和电源选择器。3. **信号开关**：SI3586DV-T1-GE3-VB可用作信号开关，用于精确控制和切换信号线路。2. **电流控制**：在电流控制模块中，该器件可用于精确控制电流的流向和大小，如电机驱动器、LED照明系统和电动汽车控制器。综上所述，SI3586DV-T1-GE3-VB适用于电源管理、电流控制、信号开关和电源逆变器等领域的各种模块和设备，提供高效的功率转换和精确的电流控制功能。
2024-11-07 11:34:35
289
原创 SI3586DV-T1-E3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
具有±20V的正负漏极-源极电压承受能力，正沟道沟道中的漏极电流承受能力为7A，负沟道沟道中的漏极电流承受能力为4.5A。4. **电池保护：** 在移动设备和便携式电子产品中，SI3586DV-T1-E3-VB可用于电池保护电路中，保护电池免受过充、过放和短路等问题，例如电池保护板、智能手机电池管理系统等。3. **电机驱动：** 在工业自动化和机器人领域，SI3586DV-T1-E3-VB可用于电机驱动器电路中，实现对电机的高效控制和调节，例如步进电机控制器、直流电机驱动器等。**详细参数说明：**
2024-11-07 11:30:43
177
原创 SI3585DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
综上所述，SI3585DV-T1-GE3-VB是一款多功能的双N+P-Channel MOSFET，具有良好的性能和灵活的应用范围，适用于各种低至中等功率的电路设计。- 导通电阻（RDS(ON)）：20mΩ @ VGS=4.5V（N-Channel），70mΩ @ VGS=4.5V（P-Channel）- 阈值电压（Vth）：0.71V（N-Channel），-0.81V（P-Channel）- 额定电流：7A（N-Channel），-4.5A（P-Channel）- **封装：** SOT23-6。
2024-11-07 11:28:41
203
原创 SI3585DV-T1-E3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 20mΩ @ VGS = 4.5V。- **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS
2024-11-07 11:22:24
331
原创 Si3585CDV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **电池管理系统**：在电池充放电管理系统中，Si3585CDV-T1-GE3-VB可用于充电和放电控制，帮助实现电池充电、放电过程中的电流和电压管理。3. **电源选择开关**：由于其包含N-Channel和P-Channel沟道，因此可用作电源选择开关，帮助在电路中选择电源来源，并实现电源切换功能。2. **驱动器模块**：Si3585CDV-T1-GE3-VB可用于电机驱动器和电机控制器，适用于各种电动工具、家用电器和汽车电子中的驱动控制。**适用领域和模块：****详细参数说明：**
2024-11-07 11:18:46
196
原创 SI3499DV-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **LED驱动：** 在照明领域，SI3499DV-T1-GE3-VB可用于LED驱动电路中，实现对LED的高效控制和调节，例如LED驱动模块、LED驱动器等。2. **电机驱动：** 在工业和汽车电子领域，SI3499DV-T1-GE3-VB可用于电机驱动电路中，实现对电机的精确控制，例如电机控制模块、电机驱动器等。1. **电源开关：** SI3499DV-T1-GE3-VB可用于电源开关电路中，实现对高电压和高电流的快速开关控制，例如DC-DC转换器、电源逆变器等。**适用领域和模块示例：**
2024-11-07 11:02:45
221
原创 SI3445DV-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为50mΩ，这意味着在导通状态下，器件会产生较低的功率损耗。1. **额定电压（VDS）：** -60V的额定电压使得该MOSFET适用于广泛的应用场景，包括低至中等功率的电路设计。4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压在-1V到-3V之间可调，这使得器件易于控制，适用于高效率的电路设计。2. **额定电流（ID）：** -6.5A的额定电流表明它能够处理中等功率负载，适用于多种电源管理和驱动电路。**详细参数说明：**
2024-11-06 10:55:31
222
原创 SI3445ADV-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电源逆变器：** 用于设计逆变器和变换器电路，SI3445ADV-T1-GE3-VB可实现DC至AC电源逆变和交流电源调节功能，适用于太阳能电池组件和风能发电系统等可再生能源领域。1. **电源管理：** SI3445ADV-T1-GE3-VB可用于DC-DC转换器、稳压器和电池保护电路，适用于笔记本电脑、平板电脑和工业控制系统等领域。2. **负载开关：** 在电机驱动和继电器控制等领域，SI3445ADV-T1-GE3-VB可用作负载开关，实现高效的功率控制和电路保护。### 详细参数说明。
2024-11-06 10:53:00
270
原创 SI3442DV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**：SI3442DV-T1-GE3-VB可用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC变换器等电路中，实现高效的功率转换和电源管理功能，例如便携式设备的电池管理电路。4. **电池保护模块**：在电池管理系统中，可用于电池保护模块中的电路，实现对电池充放电过程的监测和保护，确保电池的安全运行，例如便携式电子设备的电池保护模块。2. **马达控制**：在小型直流马达驱动器电路中，可用于电机控制模块，控制电机的启停、转速和方向，例如无人机中的电机驱动器控制电路。**适用领域和模块：**
2024-11-06 10:51:46
251
原创 SI3442DV-T1-E3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理**：SI3442DV-T1-E3-VB可用于低功率电源管理领域，如手机充电器、电池管理系统和便携式电子设备中的开关电源和DC-DC转换器。3. **LED驱动**：由于其低导通电阻和高电流特性，SI3442DV-T1-E3-VB可用于LED照明领域，如LED驱动器和照明系统中。4. **电机控制**：在低功率电机控制模块中，SI3442DV-T1-E3-VB可用于电机的开关控制和驱动。- 封装类型：SOT23-6。**适用领域和模块：****详细参数说明：**
2024-11-06 10:49:55
266
原创 SI3442BDV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
SI3442BDV-T1-GE3-VB可用作LED驱动电路中的开关元件，实现对LED的高效控制和调节。1. **电源管理：** SI3442BDV-T1-GE3-VB可用于低电压电源管理电路中，如稳压器、DC-DC转换器等。SI3442BDV-T1-GE3-VB可用作电池保护电路中的开关元件，实现对电池的充放电控制和保护。通过以上示例，可以看出SI3442BDV-T1-GE3-VB晶体管在电源管理、电池保护、电机驱动和LED驱动等领域都具有广泛的应用前景，能够提高系统的能效和稳定性。**详细参数说明：**
2024-11-06 10:47:32
236
原创 SI3442BDV-T1-E3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为30mΩ，这意味着在导通状态下，器件会产生较低的功率损耗。1. **额定电压（VDS）：** 30V的额定电压使得该MOSFET适用于中低压电路设计，例如电源管理和低压开关电路。4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.2V，这使得器件易于控制，适用于高效率的电路设计。1. **电源管理：** 可用于低压电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和开关模块。- **封装：** SOT23-6。**详细参数说明：**
2024-11-06 10:44:38
161
原创 SI3438DV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
2. **便携式电子设备：** 适用于便携式音频播放器、智能手表和便携式医疗设备等，SI3438DV-T1-GE3-VB可提供高效的电源管理和电池保护功能。1. **手机和平板电脑：** 在移动设备的电源管理电路中，SI3438DV-T1-GE3-VB可用于设计高效的DC-DC转换器和电池充放电管理电路。5. **电池保护：** 在锂电池充放电管理中，SI3438DV-T1-GE3-VB可用于设计电池保护电路，确保电池充放电过程中的安全和稳定。### 应用领域和模块举例。### 详细参数说明。
2024-11-06 10:43:23
205
原创 SI3434DV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理模块**：SI3434DV-T1-GE3-VB可用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC变换器等电路中，实现高效的功率转换和电源管理功能，例如便携式设备的电池管理电路。4. **电池保护模块**：在电池管理系统中，可用于电池保护模块中的电路，实现对电池充放电过程的监测和保护，确保电池的安全运行，例如便携式电子设备的电池保护模块。2. **马达控制**：在小型直流马达驱动器电路中，可用于电机控制模块，控制电机的启停、转速和方向，例如无人机中的电机驱动器控制电路。**适用领域和模块：**
2024-11-06 10:42:18
208
原创 SI3424DV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理**：SI3424DV-T1-GE3-VB可用于低功率电源管理领域，如手机充电器、电池管理系统和便携式电子设备中的开关电源和DC-DC转换器。3. **LED驱动**：由于其低导通电阻和高电流特性，SI3424DV-T1-GE3-VB可用于LED照明领域，如LED驱动器和照明系统中。4. **电机控制**：在低功率电机控制模块中，SI3424DV-T1-GE3-VB可用于电机的开关控制和驱动。- 封装类型：SOT23-6。**适用领域和模块：****详细参数说明：**
2024-11-06 10:38:25
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原创 SI3424CDV-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理：** SI3424CDV-VB可以用于低电压电源管理电路中，如稳压器、DC-DC转换器等。4. **LED驱动：** 在LED照明应用中，需要对LED进行精确的电流控制。2. **电池保护：** 在电池管理电路中，需要对电池进行充放电控制和保护。3. **电机驱动：** 在小型电机驱动电路中，需要对电机进行精确的控制。通过以上示例，可以看出SI3424CDV-VB晶体管在电源管理、电池保护、电机驱动和LED驱动等领域都具有广泛的应用前景，能够提高系统的能效和稳定性。
2024-11-06 10:36:50
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原创 SI3424BDV-T1-GE3-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为30mΩ，这意味着在导通状态下，器件会产生较低的功率损耗。1. **额定电压（VDS）：** 30V的额定电压使得该MOSFET适用于中低压电路设计，例如电池管理和低压开关电路。4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.2V，这使得器件易于控制，适用于高效率的电路设计。1. **电源管理：** 可用于低压电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和开关模块。- **封装：** SOT23-6。**详细参数说明：**
2024-11-06 10:35:37
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