050N03MS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

050N03MS-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、1.7V的阈值电压（Vth）、5mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及120A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench技术，适用于低压高电流应用。

### 参数说明

- **封装：** DFN8(5X6)
- **结构：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 30V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
  - @VGS=4.5V: 5mΩ
  - @VGS=10V: 3mΩ
- **漏极电流（ID）：** 120A
- **技术：** Trench

### 应用领域和模块举例

1. **电池管理系统：** 由于050N03MS-VB具有低导通电阻和高漏极电流，适用于电池管理系统中的功率开关和电流控制。

2. **电动汽车充电桩：** 在电动汽车充电桩中，需要处理高电流和低压降的功率开关电路，050N03MS-VB可用于充电桩的电源管理。

3. **DC-DC变换器：** 050N03MS-VB适用于低压高电流的DC-DC变换器，用于各种电子设备的电源管理。

4. **LED驱动器：** 在LED照明应用中，050N03MS-VB可用于LED驱动器的功率开关，以提供高效率的电源管理。

5. **电动工具：** 由于具有高漏极电流和低导通电阻，该产品适用于电动工具的电源开关，如电动钻、电锯等。