nandflash开发心得

     这段时间学习了nandflash，由于之前没有用过nandflash，对nandflash的开发流程理解错误，现将这段时间的心得写出来分享给大家，希望对大家有所帮助。

     nandflash的特点及它与norflash的区别，这里不再赘述，大家可以百度一下。开发一款nanflash之前，首先仔细阅读nandflash的datasheet。一般流程是，读ID，擦除，写，读。

     这里要注意一点，由于nandflash的硬件特性，nandflash在出厂时就有坏块，但是这些坏块，厂商都给你做了标记，datasheet里有所介绍，一般是在第一页的spare区的第一个字节标记为0x00，所以在拿到芯片的时候，千万不要直接擦除写，要先读出标记，标记了的块是不能使用的，要用坏块管理来管理这些坏块。其次，在芯片运行的过程中，由于多次擦除也有可能会产生坏块，通过擦除和写的返回值来判断，如果是坏块，那么也要加入坏块管理中进行管理。

    如果坏块管理已经做好了 ，那么第二个重点就是保证读写数据的正确性，nandflash不能保证每次直接读写的正确性，必须要用ECC校验，当然其中不排除很好的芯片，可能不需要ECC校验。

     综上，对于nandflash，要做好nandflash的坏块管理和ECC校验，关于nandflash的操作，现已经很成熟了，下面提供了一些参考资料：

1、Nandflash的基本介绍

http://blog.chinaunix.net/uid-23225855-id-3068440.html

2、ECC代码的实现

http://blog.csdn.net/guopeixin/article/details/1903983

3、坏块处理可以参考computer00的坏块处理

http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_214171.HTM

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