各种Nand的总结

1. 微观

NAND闪存
NAND是非易失性存储技术，
NAND闪存由多个存放以位（bit）为单位的单元构成，这些位通过电荷被打开或关闭，
如何组织这些开关单元来储存在SSD上的数据，也决定了NAND闪存的命名，
比如单级单元（SLC）闪存在每个存储单元中包含一个位。

SLC MLC TCL
SLC
单个颗粒，只存储一位数据
速度快，但容量小，价格贵，寿命最长，读写错误几率小

MLC
单个颗粒，可存储两位数据
速度快，容量大，价格便宜，不如SLC寿命长，读写稳定

TCL
单个颗粒，可存储三位数据
速度慢，容量很大，价格便宜，寿命短。

 

2.宏观

norflash

Intel公司推出，
有寻址和数据总线，随机存取存储器
容量小，价格贵

nandflash
东芝推出
需要SoC提供控制电路
必须以块方式进行读写
接口不统一，各个厂家的nandflash不同
容量大，价格便宜

 

sd
nandflash + 主控IC
主控IC会负责坏块管理等，可节约SoC资源
统一接口

 

inand
相当于芯片化sd卡，
有独立的芯片用于坏块管理等，可节约SoC资源
自带缓存，速度快
统一接口，升级时驱动完全一样，也不需重新布板

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