2.2存储器

主要知识点

1:存储器主要分类为ROM(只读),Flash(闪存),RAM(随机存取存储器)和光盘磁盘存储器

2:ROM分为可编程和不可编程以及可擦除可编程,电可擦除可编程。代号分别为ROM、PROM、EPROM、EEPROM

3:Flash闪存主要有NOR和NAND。NOR的特点是可以在芯片中执行程序而NAND不可以。NAND Flash以块设备进行访问。

4:NAND 比NOR容量大,成本低。且最大擦写次数是100万次,而NOR只有10万次。

5:由于Flash的电器特性,在读写的时候,偶然会产生1位或几位数据错误。而NAND发生的概率远大于NAND。所以他们使用时要采用EDC/ECC算法。这种算法

没研究,而且感觉暂时也没有研究的必要

6:Flash编程原理是只能将1写为0,而不能将0写为1。所以编程前要将对应的块进行擦除,而擦除的过程就是把所有位写为1的过程。块内所有字节都变为0xff。真是神奇的

特性啊。所以对Flash编程,不要总是在同一个位置擦写,容易参数坏块

7:RAM分为静态RAM和动态RAM。虽然都是掉电就清空,但是动态RAM要定期刷新,而SRAM则不需要,这个参数的原因是他们的硬件组成不一样。

8:CAM是内容寻址存储器,感觉就是一个内容比较器,输入项和CAM中的数据比较,输出他的数据地址和匹配标志。当然优点肯定是比软件比较性能高了。

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2.1 IAP编程是指在运行程序时对Flash或其他非易失存储器进行编程的操作,而ISP编程是指通过外部接口向存储器编写程序或数据。 2.2 存储器映射是一种将不同类型存储器中的数据映射到CPU地址空间中的方式,以便于CPU访问。 2.3 重映射是指在系统运行过程中对原始存储器地址进行修改,对存储器内的数据进行访问。 2.4 引导块是指在系统启动时被加载和执行的代码块,通常用于系统的初始化和启动。 2.5 引导块需要重映射,是因为在引导块执行时,系统内存的映射关系可能发生了变化。 2.6 异常向量表是一段预定义的内存区域,其中包含了处理器的异常和中断服务程序的地址。 2.7 异常向量表需要作重映射,是因为在系统运行过程中,存储器映射关系会发生变化,需要更新异常向量表的映射关系。 2.8 地址前8个字的内容相加等于0是因为这8个字节中包含了校验和,用于防止数据传输中的错误,并且可以用于验证数据的完整性。 2.9 启动代码是一段在系统启动时被加载和执行的代码,用于完成系统的初始化和启动工作。 2.10 PLL是锁相环电路,用于生成高频时钟信号。要将晶振设置为12MHZ,需要进行PLL的初始化,将倍频系数设置为5,将时钟分频系数设置为1,最终得到Fcclk为60MHz。 2.11 Boot Block在复位过程中被加载和执行,用于进行系统初始化和检查系统的状态,并判断是否需要引导操作系统。 2.12 芯片可以通过各种方法来实现节能,如关闭不需要的外设、降低时钟速度、降低供电电压等。 2.13 系统可以采用多种方法来实现存储器加速,如缓存、预取、交错存储等。 2.14 完成一条指令需要的CPU时钟周期数取决于指令的类型和指令执行的情况。可以通过CPU手册来确定指令的用法和时钟周期数。 2.15 一个8位总线的外部存储器可以通过并行口、SPI总线、I2C总线等方式与ARM7单片机系统连接。连接方式的选择取决于存储器的种类和数据传输的需求。

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