(1)英特尔® 傲腾™ 持久内存 (PMem) 在以下方面与 DRAM 有一些相似之处:封装在 DIMMS 中,与 DRAM
驻留在同一总线/通道上,并且可以采取与 DRAM 相同的方式来存储易失性数据。
英特尔® 傲腾™ 持久内存 (PMem) 与 DRAM 的不同之处在于:前者提供了许多令人兴奋的新功能。英特尔® 傲腾™
持久内存的容量远远高于传统的 DRAM。英特尔® 傲腾™ 持久内存模块具有 128GB、256GB 和 512GB
多种容量,远远大于通常从 4GB 到 32GB 的 DRAM 模块,尽管后者也存在更大的容量。英特尔® 傲腾™
持久内存甚至可以在不通电的情况下以持久模式存储数据,通过增加安全性来保证数据不受损。尽管英特尔® 傲腾™ 持久内存模块的速度不如
DRAM 模块那么快,但从成本/GB 的角度以及可将容量扩展到超过 DRAM 的能力来看,前者的 TCO 情况与 DRAM
相比有了很大的改善。
(2)英特尔® 傲腾™ 持久内存 (PMem) 和英特尔® 傲腾™ 固态盘都使用了相同的英特尔® 傲腾™
内存介质,但它们是完全不同的产品。英特尔® 傲腾™ 持久内存位于 DIMM 封装中,在 DRAM
总线上运行,可以是易失性的或持久的,并且能够作为 DRAM 的替代品。而英特尔® 傲腾™ 固态盘严格用于标准 NAND
封装模型(AIC、M.2、U.2、EDSFF 等)中的快速存储,并使用 NVMe* 协议驻留于 PCIe
总线上,出于存储原因可始终保持持久,并且可以作为快速存储的替代品。此外,英特尔® 傲腾™ 固态盘在产品方面与标准英特尔® 3D
NAND 固态盘有所不同。它在所有队列深度(比 NAND 快 6
倍)上都具有突破性的性能(并在低深度上有所区别),在负载下的持续响应(在写入压力下比 NAND 快 63 倍),高服务质量(比
NAND 快 60 倍),以及非常高的耐用性(总写入字节量比 NAND 多 20 倍)。
(3)NVDIMM(非易失性双列直插式内存模块)是一种混合内存,可在断电期间保存数据。NVDIMM 通常将非易失性 NAND
闪存与 DRAM 集成在一起,并在单个内存子系统上集成专用的备用电源。尽管它确实提供了持久性,但这个系统通常会更昂贵,因为您需要与
DRAM 模块一样多的 NAND
存储以及额外的电池备用子系统。而且发生断电时,保存和还原状态也会有所延迟。此外,如果电池未维护或损坏,则会失去备份功能。借助英特尔®
傲腾™
持久内存,您可以实现即时持久性,而无需其他组件,无需担心更换电池,无需额外的存储设备,从而降低了成本,并且不会影响性能。