lvds单8转双8芯片_2021年量产5nm芯片 三星计划投资8万亿韩元建设NAND闪存产线

近日，据外媒报道，三星电子表示，他们计划将会投资8万亿韩元(约合人民币463.9亿元)在韩国平泽工业园建立NAND闪存的生产线。

目前，该生产线的建设已经于上个月开始，预计在2021年下半年开始量产三星最先进的V-NAND产品。

此外，三星电子还表示，此次的投资旨在应对人工智能、物联网等引领的第四次工业革命，而且5G的普及也将会对于NAND闪存有极大的需求量。

在上月，三星电子已经在平泽投建生产线，在新产线上将专注于基于极紫外光刻技术的5nm及以下工艺制程，而随着新产线建设，预计到明年下半年三星将会开始量产5nm芯片。现在，加上这条平泽生产线，在韩国三星已经拥有7条芯片制造产线。

在去年4月份，三星曾经提出过“半导体愿景2030”，他们计划在2030年对于系统芯片的研发和生产技术领域投资133万亿韩元(约合人民币7658亿元)。

目前，随着台积电5nm芯片已经开始量产，面对这一形式，三星已经稍显落后，所以，这次他们在平泽建厂，对于5nm工艺生产将会起到至关重要的作用，而2021年，他们有望在制程方面追上台积电。