19、用16K x 8位的DRAM芯片构成64K x 32位存储器,要求:
(1)画出该存储器的组成逻辑框图。
(2)设存储器读/写周期为0.5 μs,CPU在1μs内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?
正确答案: 解:
(1) 用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器,需要用16个芯片,其中每4片为一组构成16K×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D0~D7、D8~D15、D16~D23和D24~D31,其余同名引脚互连),需要低14位地址(A0~A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A0~A6引脚输入;然后再由4组进行存储器容量扩展,用高两位地址A14、A15通过2:4译码器实现4组中选择一组。画出逻辑框图如下。
(2) 设刷新周期为2ms,并设16K×8位的DRAM结构是128×128×8存储阵列,则对所有单元全部刷新一遍需要128次(每次刷新一行,共128行):若采用集中式刷新,则每2ms中的最后128×0.5μs=64μs为集中刷新时间,不能进行正常读写,即存在64μs的死时间;若采用分散式刷新,则每1μs只能访问一次主存,而题目要求CPU在1μS内至少要访问一次,也就是说访问主存的时间间隔越短越好,故此方法也不是最适合的。比较适合采用异步式刷新。
采用异步刷新方式,则两次刷新操作的最大时间间隔为15.625μs,可取15.5μ