c语言检测内存坏块,基于单片机的Flash存储器坏块自动检测.pdf

基于单片机的Flash存储器坏块自动检测

第18卷第3期 电子设计工程 2010年3月

Electronic Mar．2010

V01．18 No．3 DesignEngineering

基才单片机的Flash存储器坏块自动检测

王新舜，张存善，韩力英，杨振华

(河北工业大学信息工程学院，天津300130)

摘要：在深入了解Flash存储器的基础上，采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第l、第2页内

容，判断该块的好坏，并给出具体的实现过程，以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片

机自动检测Flash坏块的功能．并通过读取ID号检测Flash的性能，同时该设计能够存储和读取lGB数据。

关键词：NANDFlash；ID号；AT89C51单片机；数码管

中图分类号：TN30 文献标识码：A 文章编号：1674．_6236(2010)03—0124—03

ofFlash basedonSCM

Autodetectioninvalidblock memory

WANG Zhen—hua

Xin—shun，ZHANGCun·shah，HAN

Li—ying，YANG

(school 300130。China)

ofInformationEn∥needng，HebeiUnivers盼ofTechnology，Tianjin

thebasisof theFlash anew which theSCM

Abstract：On designs

in-depthunderstandingchips．thispaper pro羽'am using

todetecttheinvalid thedataofthefirstandsecondtodepottheinvalid

block．Mainlythroughreading page block．Specific

the circuitschematicandC codeWasintroduced．

implementationprocedureWas舀ven，andkey diagramlanguageprogram

This achievedthefunctionof theMCUcheckstheinvalidblock increasedthefunction

by

design using finally．and reading

theIDnumberofn勰hto the ofthe the alsocanwriteandreadIGBdata．

get memory．And

performance d船ign

words：NANDFlash tube

Key code；AT89C51；digital

mem