dw01均衡电路_一种基于dw01的电池保护电路调试测试方法

流保护等功能。本文以此为例，介绍单节锂电池保护

IC

的测试方法。

二、

工作原理简述

1.

过充保护及过充释放功能：

在电池电压高于过充保护电压(

VOCP

)

，

且电池电压高于过充保护电压(

VOCR

)的持续时

间超过过充保护

延迟时间(

TOC

)时，保护

IC

会进入过充保护状态，其

OC pin

相对于

CS

的电平会由高到低，控制充电的

MOSF

(

M2

)管由导通到断开；当电池电压通过自放电

低于过充释放电压(

VOCR

)时，过充保护模式释放，

M2

导通。

测试时，用标准信号源类

比电池，以数字多用表观察

OC pin

的电平变化。

2.

过放保护及过放释放功能：

在电池电压低于过放保护电压(

VODD

)

，

且电池电压低于过放保护电压(

VODR

)的持续时

间超过过放保护

延迟时间(

TOD

)时，保护

IC

会进入过放保护状态，其

OD pin

相对于

VSS

的电平会由高到低，控制放电的

MOSFET

(

M1

)管由导通到断开，于过放保护后，

IC

会进

入低耗电模式，此时耗电流在

0.3

µ

A

以下；另，通过充电

器使电池电压高于过放释放电压(

VODR

)后，过放保护模式释放，

M1

导通。测试时用标准信号源模拟电池，

以数字多用

表观察

OD pin

的电平变化。

3.

过流保护功能及过流保护的取消：

在工作过程中，如果

CSI

侦测到的电压(相对于

VSS

，这个电压是大电流在两个导通的

MOS

管上所产生的压

降)

高于过流保护电压，且高于过流保护电压的持续时间超过过流保护延迟时间

，

保护

IC

会进入过流保护状态

，

它

会通过

OD pin

相对于

VSS

的电平由高到低

，

控制放

电的

MOSFET

(

M1

)

管由导通到断开。过流保护的取消条件是

P+

和

P-

的负载减小到一定程度(典型值是负载电阻大于

100k

Ω

)

。

测试时用稳压电源模拟电池，使电池工作处于正常

状

态下

，

用标准信号源给

CSI

一个电压

(相对于

VSS

)

，

用数字多用表观察

OD pin

的电平变化。

2

1

D

C

B

VCC

GND

TD

OD

OC

CSI

DW01D

图

1

R1

100

+

-

L

i

t

h

i

u

m

-

I

o

n

C1

0.1uF

0.01uF

0.1uF

M1

M2

R2

1K

P+

P-

C2

C3