DDR II中的延时参数

 

 CL (CAS latency)

CL是从读命令发出到有效数据到DDR端口的延时,以时钟为单位。下图分别表示CL = 3和CL = 4的两种情况,

如果读命令在第n个时钟周期发出,CL = m,则读取的数据在第n+m个时钟时有效。

我们以MICRON 1Gb DDR2 SDRAM 为例,

CL一般为3,4,5,6或者7个时钟,不同速度等级的DDR2支持的CL是不同的,如下图,速度等级为-187E的CL支持从3到7,而

速度等级为-25E的DDR2则只支持CL从3到6,速率等级为-3的DDR2支持CL人3到5。

CL的长度在寄存器中设置

tRC :同一个Bank之间激活命令的时间间隔被定义为tRC。 一个激活命令发送后,同一Bank中不同行的激活命令发送时必须要先关闭前一个激命令,

这个操作称为预充电(precharged)。

tRRD:不同Bank之间的激活命令时间间隔被称为tRRD。

 

tFAW:在tFAW时间间隔内不能发送超过4个激活(ACTIVATE)命令。在DDR2中8个Bank的芯片中有这一要求。

 

RL :从列地址发出到数据端口上有效的数据输出延时

RL = AL + CL

tCCD:CAS#-to-CAS#命令之间的时延。读命令之间的时间间隔。如果要输出数据连续读命令之间的间隔是BL/2 个周期,为什么是BL/2?

因为命令是单速率而数据是双速率,如果突发数据速率是8,那读(写)数据输出只需要4个时钟周期。

 tRPRE:DQS读操作前同步,DQS为低电平,而DQS#为高电平

 tRPST:DQS读操作后同步,DQS为低电平,而DQS#为高电平

 tWTR :当WRITE命令之后跟随READ命令时,要满足tWTR的时间间隔要求

 

tWR:写突发之后一定要跟随一个PRECHARGE命令,时间间隔要求tWR.tWR的开始以数据突发最后为参考

 

tRCD :ACTIVATE-to-READ or WRITE delay

 

tRCD:在发送列读写命令时必须与前面的bank激活命令(行有效也在其中)有一个间隔,这个间隔被定义为tRCD,即RAS to CAS Delay(RAS 至CAS 延迟),可以理解为行选通周期。这是根据芯片存储阵列内部响应时间所需要的延迟,这个和芯片的工艺相关,是必然存在的一个延时。tRCD 是SDRAM 的一个重要硬件参数。

 

  tRDC最终会以时钟的周期的方式体现,并向上取整数个时钟周期,其它时间参数也是如此,如对于266MHz时钟(tCK = 3.75ns),指定tRCD(MIN) = 20ns,计算得到5.3个时钟,向上取整为6个时钟

 

这里Delay(延迟)和Latency(潜伏)本质是不同的:Delay是事情要在这个时间之后开始,而Latency是事情已经发生,但是还不够稳定需要一个稳定时间。

 

 

WL: WRITE command to first DQS transition写命令与第一个DQS上升沿之间的延迟。

 


tRP:单个BanK的PRECHARGE命令发出后,需要tRP时间段

tRPA: 所有BanK的PRECHARGE命令发出后,需要tRPA时间段

 (8)AL(posted CAS additive latency )

 

这是一个间隔读的例子,先发送ACT命令,延时tRCD之后,再发送读命令,tRCD期间也是可以发送ACT命令,

但是两个ACT之间要有一定间隔是BL/2,本来ACT B2应该在ACT B1之后两个时钟周期间隔,但是tRCD

之后是RD,所以B2读出的数据与B1之间会有间隔这样会降低效率。

 

 Post CAS就是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插

到RAS信号后面的一个时钟周期,但实际的CAS命令执行可以在附加延迟(Additive Latency,AL)后面。原来

的tRCD(RAS到CAS延迟)被AL所取代,且AL可以在DDR2的初始化时进行设置。由于CAS信号放在了RAS信

号后面一个时钟周期,因此别的bank激活命令(RAS)和CAS信号就不会产生冲突了。

  这里我们就引出了AL这个概念:
   附加延遲(AL, additive latency)是使用Post CAS技术时,总线上发出CAS信号(读写/命令)后到这个指令实际被执行的延时。

 

但是对于这个改进有两个地方值得注意的:
1、tRCD依然是存在的,这个是硬件的限制。而Post CAS技术改进的是命令的传输机制。我是这样理解的:Post CAS技术是对CAS信号指令提供一种芯片内部延时的机制,也可以理解为将CAS信号缓存AL时间后执行,这样不妨碍总线上的其他命令的发送。

 

2、Post CAS技术在单次的突发访问中是没有影响的,只有连续多次的突发访问才有性能的提升,但是对于内存操作一般不可能做单次的突发,就算程序这样做了硬件缓存机制也会做多次的突发。

 

转载于:https://www.cnblogs.com/zhongguo135/p/8630146.html

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1.何为内存模块 (Memory Module)? 内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips,而这内存芯片通常是DRAM芯片,但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量,是决定内存模块的设计的主要因素。 2.什么是Parity? 早先所使用的存储器数据检错方式是Parity Check,其是以每8比特增加1比特的方式进行检错。因此若是具备Parity的存储器,其数据宽度将比非parity的存储器为大。不过若以 Parity的检错方式看,其多出的奇偶位事实上只用于分辨奇数或偶数个比特数。这种方式仅能得知是某一位发生错误,并无法确定是哪一个位置发生错误,而且无法运用在双数位的检错上。 3.什么是ECC? ECC是另一种更为进步的存储器数据检错机制。其工作的方式与Parity不同,并不是采用单一比特的方式来进行检错,而是采用数据块(block)概念与复杂的演算方法来修正数据。因此不仅能检测多位比特错误,还能进行修正单一比特的错误。 4.SPD的作用是什么? 为Serial Presence Detect 的缩写,它是烧录在EEPROM内的码,以往开机时BIOS必须侦测memory,但有了SPD就不必再去作侦测的动作,而由BIOS直接读取 SPD取得内存的相关资料。

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