芯片k66中文数据手册_IXFK66N50Q2

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概述

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：HiPerFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 500mA, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：66A

Id 时的 Vgs(th)(最大)：4.5V @ 8mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：200nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：8400pF @ 25V

功率 - 最大：735W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-264AA

包装：管件

供应商设备封装：*

特性

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参数

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引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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供应商

数量

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批号

封装

交易说明

仓库

5000

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