MOSFET的小信号模型和频率响应

  这部分内容大部分参考W.Y.Choi的课堂讲义第三讲和第四讲：http://tera.yonsei.ac.kr/class/2007_1/main.htm

 

一、小信号模型

 

　　首先要明确一点，大部分情形MOSFET都是工作在饱和区。在饱和区工作的状态我们通常称为静态工作点，在此状态附近考虑一个小的控制信号扰动$v_{GS}$，漏极伴生的附加电流记为$i_D$. 小信号模型就是用于研究这两个物理量之间的关系。

　　由MOSFET在饱和区的关系$I_D=\frac12\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_T)^2$，关于$V_{GS}$微分，有

　　$i_D=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_T)v_{GS}\equiv g_m v_gs$.　　$g_m=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_T)=\sqrt{2\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}I_D}$.

　　其中$g_m$就是小信号$i_D$关于$v_{GS}$的电导。小信号电路模型可由下图表示。

　　

 

 

　　下面考虑沟道长度修正，漏极电流$I_D=\frac12\mu C_{ox}\frac{W}{L}(1+\lambda V_{DS})(V_{GS}-V_T)^2$。由于表达式中有$V_{GS}$,$V_{DS}$两变量，微分变为

　　$i_D=\frac{\partial I