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Abstract
利用金属-绝缘体-金属(MIM)纳米腔的ENZ模式调制系统的线性光子吸收,以实现特定波长下反射率的非简并全光超快调制。
由于局域介电函数的瞬时增加,系统在高能ENZ模式下的光泵浦导致低能模式的红移很强,从而在特定波长下对反射率进行亚3ps的控制,相对调制深度接近120%。
Intro
光子学的主要前景是克服电子学的基本限制。光基技术使用光作为信息载体,在降低能耗和性能效率方面产生巨大影响。
实现光的主动控制的一种方式如电光调制器,但其由于所需的电子设备,仍受带宽(GHz范围)和功耗大的困扰。
开发新的,高能效的,以在远低于电磁辐射衍射极限的范围内达到快速(> 100 GHz)和完全可调的光学控制至关重要。
光开关可以克服由电气开关或无源光器件的速度和热耗散的限制。
全光开关的关键参数包括调制深度和开关时间。
调制深度定义为“ ON”和“ OFF”状态之间的反射和/或透射对比度
开关时间是“ ON”和“ OFF”状态之间的过渡时间。
用开关时间的倒数来定义带宽。
举一些之前报道中的例子:
掺钇氧化镉(CdO)膜可以在接近ENZ点的中红外区域中以高达135%的相对调制深度进行光强度切换,时间为45.6 p