c++中根据多个点拟合椭圆_金属绝缘体纳米腔中ENZ调制吸收实现超快全光开关

Abstract

利用金属-绝缘体-金属（MIM）纳米腔的ENZ模式调制系统的线性光子吸收，以实现特定波长下反射率的非简并全光超快调制。

由于局域介电函数的瞬时增加，系统在高能ENZ模式下的光泵浦导致低能模式的红移很强，从而在特定波长下对反射率进行亚3ps的控制，相对调制深度接近120%。

Intro

光子学的主要前景是克服电子学的基本限制。光基技术使用光作为信息载体，在降低能耗和性能效率方面产生巨大影响。

实现光的主动控制的一种方式如电光调制器，但其由于所需的电子设备，仍受带宽（GHz范围）和功耗大的困扰。

开发新的，高能效的，以在远低于电磁辐射衍射极限的范围内达到快速（> 100 GHz）和完全可调的光学控制至关重要。

光开关可以克服由电气开关或无源光器件的速度和热耗散的限制。

全光开关的关键参数包括调制深度和开关时间。

调制深度定义为“ ON”和“ OFF”状态之间的反射和/或透射对比度

开关时间是“ ON”和“ OFF”状态之间的过渡时间。

用开关时间的倒数来定义带宽。

举一些之前报道中的例子：

掺钇氧化镉（CdO）膜可以在接近ENZ点的中红外区域中以高达135％的相对调制深度进行光强度切换，时间为45.6 p