flash读取程序 msp430_转载 msp430程序库 flash控制器

硬件介绍：

要对Flash读写，首先要了解MSP430的存储器组织。430单片机的存储器组织结构采用冯诺依曼结构，RAM和ROM统一编址在同一寻址空间中，没有代码空间和数据空间之分。

一般430的单片机都统一编址在0-64k地址范围中，只有少数高端的型号才能突破64k(如：FG461x系列)。绝大多数的msp430单片机都编址在64kB范围内。地址的大概编码方式如下：

这是msp430f425的存储器分配图，其他在64k范围内的存储器的单片机编址方式与此类似：低256B是寄存器区，然后是RAM；空白；1000H到10FFH是信息Flash区；大于1100H-0FFFFH是主存储器区(从0FFFFH开始往低地址有单片机的主Flash，多余的部分空白)。

MSP430F14x的Flash分布：

MSP430F16x的Flash分布：

主Flash部分和信息Flash部分如下(60kB Flash对应的单片机，如msp430f149、msp430f149)：

主Flash分为以512B为段的单位，0段是单片机中断向量等程序入口地址，使用时不要擦除此段或改写此段，若要擦除或是改写，请先保存内容到RAM或其他段；主Flash各段内容均要避免写入或擦除，以免造成不可预料的后果。

信息Flash分为两段：段A和段B，每段128B；可以保存用户自己的内容(主Flash也可以但是要避免与程序代码区冲突)；这里就把信息Flash的两段称为InfoA(1080H-10FFh)和InfoB(1000H-10FFH)。

Flash的操作包括：字或字节写入；块写入；段擦除；主Flash擦除；全部擦除。任何的Flash操作都可以从Flash或从RAM中运行。

Flash操作时需要时序发生器，Flash控制器内部含有时序发生器用以产生所需的Flash时钟，Flash时钟的范围必须在257kHz到476kHz之间。时序发生器的框图如下：

时序发生器可以选择ACLK、MCLK、SMCLK作为时钟源，通过分频获得所需的257kHz到476kHz之间的Flash操作时钟。如果时钟频率不再这个范围内，将会产生不可预料的结果。

擦除：擦除之后，存储器中的bit都变为1；Flash中的每一位都可以通过编程写入有1到0，但是要想由0变为1，必须通过擦除周期。擦除的最小单位是段。有三种擦除模式：

MERAS ERASE Erase Mode

0 1 Segment erase

1 0 Mass erase (all main memory segments)

1 1 Erase all flash memory (main and information .segments)

可以通过MERAS、ERASE 位来设置擦除的模式：段擦除，主Flash擦除，全部擦除。

对要擦除段内的一个地址空写入启动擦出周期：空写入可以启动时序发生器和擦除操作。空写入后BUSY位立即变高直到擦除周期结束，这一位变为低(0)。BUSY, MERAS和 ERASE位