存储器的多级结构如概述图所示。简绘为:通用寄存器(CPU内) --> 高速缓存(常在CPU内)-->主存 --> 虚拟存储器(硬盘)计算机采用多级存储器体系,以确保能够获得尽可能高的存取速率,同时保持较低的成本,存储器体系包括寄存器、Cache(高速缓存)、主存储器、磁盘存储器、光盘存储器、磁带存储器等。
但是,以上两层仅解决了速度匹配问题,存储器的容量仍受到内存容量的制约。因此,在多级存在储结构中又增设了辅助存储器(由磁盘构成)和大容量存储器(由磁带构成)。随着操作系统和硬件技术的完善,主存之间的信息传送均可由操作系统中的存储管理部件和相应的硬件自动完成,从而构成了主存一辅存的价格,从而弥补了主存容量不足的问题。
存储器存取方式 : 存储器中数据常用的存取方式有顺序存取、直接存取、随机存取和相联存取等4种。 (1)顺序存取:存储器的数据以记录的形式进行组织,对数据的访问必须按特定的线性顺序进行,如磁带存储器。 (2)直接存取:使用一个共享的读写装置对所有的数据进行访问。但是每个数据块都拥有唯一的地址表示,读写装置可以直接移动到目的数据块的所在位置进行访问,如磁盘存储器。 (3)随机存取:存储器的每一个可寻址单元都有自己唯一的地址和读写装置,系统可以在相同的时间内对任意一个存储单元的数据进行访问,而与先前的访问序列无关,如主存储器。 (4)相联存取:相联存取是一种随机存取的形式,但是选择某一单元进行读写是取决于其内容而不是其地址,可以对所有的存储单元的特定位进行比较,选择符合条件的单元进行访问。为了提高地址映射的速度,Cache采用相联存取的方式。 存储器系统的性能主要由存取时间、存储器带宽、存储器周期和数据传输率等来衡量。 主存储器: 主存储器也就是我们简称的主存或内存,根据工艺和技术不同,可分为下列几种。 (1)RAM( Random Access Memory,随机存取存储器 ):RAM既可以写入也可以读出,但断电后信息无法保存,只能用于暂存数据。通常,RAM又可以划分为两种:DRAM(Dynamic RAM,动态RAM)、SRAM(Static RAM,静态RAM)。DRAM的信息会随时间逐渐消失,因此需要定时对其刷新维持信息不丢失;SRAM在不断电情况下信息一直保持,速度快、电路简单(勿需刷新电路),然而容量小,价格高。 (2)ROM( Read Only Memory,只读存储器 ):信息已固化在存储器中,只可读出,不能修改,一般用于存放系统程序BIOS和用于微程序控制。 (3)PROM( Programmable ROM,可编程ROM ):只能进行一次写入操作。但是可以在出厂后,由用户使用特殊电子设备进行写入。 (4)EPROM( Erasable ROM,可擦除的PROM ):内容可以读出,也可以写入。写入前需要用紫外线照射15~20分钟擦去所有信息,可以写多次。 (5)E2PROM( Electrically EROM,电可擦除的EPROM ):与EPROM类似,可以读出也可以写入,而且写操作之前不需要把以前内容擦去,可直接对寻址的字节或块修改,但写操作时间远大于读操作时间,集成度也较低。 (6)闪速存储器( flash memory,闪存 ):可使用电信号进行删除操作,但不能对字节级别进行删除,集成度与EPROM相当,高于E2ROM。 (7)CAM( Content Addressable Memory,相联存储器 ):CAM是一种基于数据内容进行访问的存储器。当对其写入数据时,CAM能够自动选择一个未用的空单元进行存储;当要读出数据时,不是给出其存储单元的地址,而是直接给出该数据或者该数据的一部分内容,CAM对所有的存储单元中的数据同时进行比较并标记符合条件的所有数据以供读取,其速度比基于地址进行读写的方式要快很多。试题解析:
一般来讲,RAM类存储器通过写入0xAA,0x55等数字再读出的方式进行自检;ROM类存储器通过累加和校验进行自检。
试题答案:
A
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