mysql flash 存储_MySQL Disk--NAND Flash原理

1、在无外力作用下，浮置闸(Floating Gate)里的电子没有足够能量逃离存储单元底部的二氧化硅层，浮置闸(Floating Gate)里的电子不会发生变化，则数据稳定。

2、存储单元中用来绝缘的二氧化硅层会随时间推移而损耗，对MLC NAND闪存来说通常可以保存10年。

3、半导体的导电性受温度影响严重，随着环境温度身高，电子会更快地从浮置闸(Floating Gate)中逃离，导致存储单元的电压状态改变，导致数据不可读。在不通电状态下SSD要达到JEDEC规定的数据保存率，消费级SSD是30°C温度下1年，企业级是40°C下三个月。

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SSD擦写寿命问题

在“写数据”和“擦除数据”过程中，电子需要通过二氧化硅层流入或流出浮置闸(Floating Gate)，随着电子流入或流出，用来绝缘的二氧化硅层(10nm左右厚度)的院子键会被一点一点破坏掉，随着电子会慢慢占据二氧化硅层，会抵消掉施加在控制闸上的电压，导致需要更高电压才能完成数据存取操作，而高电压又使得氧化物更快被击穿，当整个二氧化硅层被电子贯穿后，该存储单元便无法继续使用。

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SLC MLC TLC介绍

SLC(Single-Level Cell),每个存储单元存放1bit信息，将浮置闸里电子捕获状态分为有和无，对应二进制数据0和1。

MLC(Multi-Level Cell),每个存储单元存放2bit信息，将浮置闸里电子捕获状态分为高、中、低、无四种状态，对应二进制数据00、01、10、11。

TLC(Triple-Level Cell),每个存储单元存放3bit信息，将浮置闸里电子捕获状态分为8种状态，对应二进制数据000到111。

对应相同面积的芯片，每个存储单元所占空间相同，每个存储单元存放的信息量决定整个芯片的信息量，因此TCL的容量相对要远高于SLC的容量。

相对于SLC仅存放2中状态，MLC/TCL的每个存储单元需要存放4种/8种状态，使得每次“写数据”和“擦除数据”都需要更多流入和流出更多电子，导致二氧化硅绝缘层的使用寿命(擦写次数)较低。

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内存颗粒等级

当用于NAND Flash的内存颗粒被生产出来后，会根据其质量来决定用途：

1、质量好的用来做最高等级的同步颗粒

2、能被修复的用来做次等级的同步颗粒

3、质量较差的用来做低等级的异步颗粒

同步颗粒与异步颗粒主要是两个管脚的不同，同步模式下颗粒随时处于Ready状态，能减少一个时钟周期。

英特尔 25nm颗粒的分级表:

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摘抄自：https://www.cnblogs.com/Christal-R/p/7246415.html

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