场效应管调光电路图_场效应管原理详解

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

(1)场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流)；

(2)场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻(107～1012Ω)很大。

(3)它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

(5)场效应管的抗辐射能力强；

(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它的外型也是一个三极管，因此又称场效应三极管。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管和绝缘栅型场效应三极管之分。

1.结型场效应三极管

(1) 结构

N沟道结型场效应三极管的结构如图1所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。

图1结型场效应三极管的结构

(2) 工作原理

以N沟道为例说明其工作原理。

当UGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当UGS《0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，UGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UGS(off)。

(3)特性曲线

结型场效应三极管的特性曲线有两条，一是输出特性曲线(ID=f(UDS)|UGS=常量)，二是转移特性曲线(ID=f(UGS)|UDS=常量)。N沟道结型场效应三极管的特性曲线如图2所示。