通过设置开发板boot sel跳线选择开发板的启动模式，短接跳线（盖上跳帽），为nand flash启动方式，否则是nor flash启动方式。但是代码可以在nor flash上直接运行，不能在nand flash上运行，为了支持nand flash的bootloader，2410x配置了一片内部的sram buffer 叫做steppingstone 。当启动的时候，nand flash的前4K 的数据将会载入到steppingstone中并且boot code将会在steppingstone中执行。一般来讲，bootcode将会拷贝nand flash 中的内容到SDRAM中，使用硬件ECC，检验 NANDflash
数据的正确性。在拷贝完成之后，主函数将在SDRAM中执行。
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 被拷贝到steppingstone中的代码会拷贝nand flash中的代码到sdram中，这被拷贝的4K代码不是会被执行两遍吗？
nand flash 中的前4k代码会被复制到steppingstone中，到底是哪些代码？是uboot的前4k？
steppingstone 中代码地址被映射到nCGS0，而后的代码在sdram中执行，地址为0x30000000，地址如何映射的？
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 s3c2410手册内容：
· NANDflash 模式：支持 读、擦出、编程 NANDflash 存储器
· 自动boot模式：芯片复位后bootcode被传输到steppingstone中，传输后，bootcode将会在steppingstone中执行。
· 硬件ECC检测模块（硬件检测，软件纠错）
· steppingstone 4K 的内部SRAM buffer在NANDflash booting后能被用做其它用途。
自动 boot 模式序列
1.   完成复位
2.   当自动boot模式使能，nand flash的前4K的数据拷贝到steppingstone 4K的buffer中去
3.   steppingstone被映射到 nGCS0
4.   CPU 开始在steppingstone的4K内部buffer中执行bootcode
注意：在自动boot模式下，ECC不会被检测。所以，先前的4K的NANDflash数据不应该有位错误
nand flash模式配置
1.   通过设置nfconf寄存器设置nand flash配置
2.   向nfcmd寄存器写入nand flash命令
3.   向nfaddr寄存器写入nand flash地址
4.   通过查看nand flash状态寄存器nfstat，读写数据。R/nB信号应该在读操作前或编程操作后被检测
autoboot和nandflash 配置
1.   OM[1:0]=00:使能nandflash控制器自动boot模式
2.   nandflash存储器每页大小为512字节
3.   ncon：nandflash存储器地址步数选择  0：3步寻址 1：4步寻址
2410在读写操作时生成512字节ECC同位码。每512字节的数据ECC同位码包含3个字节
24 位ECC同位码=18位行同位+6位列同位
ECC控制模块执行以下步骤：
1 、当微控制器写数据到NAND时，ECC控制模块生成ECC码
2 、当微控制器从nand读数据时，ECC控制模块生成ECC码，并且拿他与先前写时生成的ECC码相比较
注意：
  存在问题：nandflash控制器不能被DMA访问。
  解决方案：使用LDM/STM指令代替DMA。