NandFlash原理与启动详解

最新推荐文章于 2024-09-28 11:35:21 发布

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NandFlash原理与启动详解

一、Nandflash内部是怎么工作的：

1片Nandflash=1设备；1设备=4096块；1块=32页；1页=528字节=数据大小（512字节）+oob块大小（16字节）

（oob用于Nandflash命令执行完成后设置状态）可以通过NAND Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位，通过NAND Flash内置的指针指向各自的首地址。

　　存储操作特点有：擦除操作的最小单位是块；NAND Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除(擦除即是将相应块的位全部变为1)；OOB部分的第6字节(即517字节)标志是否是坏块，值为FF时不是坏块，否则为坏块。除OOB第6字节外，通常至少把OOB的前3字节用来存放NAND Flash硬件ECC码。

（ECC："Error Correcting Code" "错误检查纠正"，带有奇偶校验的内存的主要功能。）

1.Nand flash以page为单位进行读写，以block为单位进行擦除，没页分为main区和spare区，main区用于存放正常的数据，spare区用于存放一些附加信息

2．S3c2440 支持从Nand 启动是因为内部有一个叫做Steppingstone的SRAM buffer，当启动的时候，nand 的前4k的将会代码将被拷贝到steppingstone中执行，注意前4k代码是不会经过ECC校验的，所以必须确保这些代码的准确

3.对nand的操作都是通过使用命令来实现，有的操作只要一个命令就可以完成，而有的需要两个命令才能完成,下面是K9F1G08U0B的命令表：

4 Flash烧写程序原理及结构

　　基本原理：将在SDRAM中的一段存储区域中的数据写到NAND Flash存储空间中。烧写程序在纵向上分三层完成。第一层:主烧写函数，将SDRAM中一段存储区域的数据写到NAND Flash存储空间中。第二层:该层提供对NAND Flash进行操作的页读、写及块擦除等函数。第三层：为第二层提供具体NAND Flash控制器中对特殊功能寄存器进行操作的核心函数，该层也是真正将数据在SDRAM和NAND Flash之间实现传送的函数。其中第二层为驱动程序的设计关键所在，下面对该层的读、写(又称编程)、擦除功能编码进行详细介绍。

nand flash 存储空间分布（图）

二、怎样从Nandflash拷贝并跳转到SDRAM的过程：

1.当S3C2440被配置成从Nand Flash启动时, S3C2440的Nand Flash控制器会在 S3C2440上电时自动把NandFlash上的前4K代码搬移到Boot Internal SRAM,然后系统从起始地址是0x0000_0000的Boot Internal SRAM启动，在这4K代码中我们必须完成CPU的核心配置，把NandFlash上的代码全部拷贝到SDRAM中去，然后跳转到SDRAM中去执行剩余的代码（进入操作系统等等）；

（跳转到SDRAM的过程图）

（操作系统分布图）

2.这一步完成的是把NandFlash上的代码拷贝到SDRAM的过程：

（1）先判断是从nor启动还是从nand启动

ldr r0,=BWSCON

ldr r0,[r0]

ands r0,r0, #6 ;OM[1:0] != 0, NOR FLash boot

bne NORRoCopy ;don't read nand flash

adr r0,ResetEntry ;OM[1:0] == 0, NAND FLash boot // ADR 装载参照的地址=subr0,pc,#off_set;

cmp r0,#0 ;if use Multi-ice,//JTAG调试时是直接下载到SDRAM中运行，不需要再从nand拷贝

bne InitRamZero ;don't read nand flash for boot

注意哦，执行adr r0,ResetEntry后，r0 = PC - off_set，adr得到是相对地址而不是绝对地址。ResetEntry是整个程序的入口处，由链接器指定入口地址，如下图，ResetEntry=RO Base=0x3001_0000即|Image$$RO$$Base|。当程序在SDRAM中运行时，当前PC=0x3001_0000+off_set，r0=0x3001_0000，当程序在Boot Internal SRAM运行时，由于程序是从0x0000_0000开始运行的，所以当前PC=0x0000_0000+off_set，即r0=0x0000_0000。所以可以通过cmp r0,#0来判断程序是否运行在Boot Internal SRAM，如果是，则把NandFlash中的程序拷贝到SDRAM。

（2）从NandFlash拷贝程序到SDRAM

在这步中最让我困惑的是在SDRAM中从哪个地址开始存放从NandFlash拷过来的程序。

;===========================================================
;//将程序从nandflash拷贝到sdram
;===========================================================
nand_boot_beg
bl ClearSdram
mov r5,#NFCONF
;set timing value
ldr r0, =(7<<12)|(7<<8)|(7<<4)
str r0, [r5]
;enable control
ldr r0,=(0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0)
str r0,[r5, #4]

bl ReadNandID
mov r6,#0
ldr r0,=0xecF1
cmp r5, r0
beq %F1
; ldr r0,=0xecda
; cmp r5,r0
mov r6,#1 ;Nandaddr(寻址周期 0:4 1:5)
1
bl ReadNandStatus

mov r8,#0
ldr r9,=ResetEntry
mov r10,#32 ;+081010 feiling

上面代码中最关键的是这句：

ldr r9,=ResetEntry

其它都是一些NandFlash的相关设置与操作细节，先不管了。这据代码中用ldr来获得在SDRAM存放代码的起始地址，ldr将ResetEntry的绝对地址|Image$$RO$$Base|赋给了r9。也就是说，从NandFlash拷过来的代码放在了SDRAM中从|Image$$RO$$Base|开始的地址空间里。

3.CPU配置完了，程序和数据也都拷到SDRAM里了，该跳转到SDRAM里去做其他事情了，怎么知道是否跳转到SDRAM呢？这还是地址啊。我之前一直搞不清楚为什么一句ldr pc,=CEntry和bl Main就能从Boot Internal SRAM直接跳到SDRAM，原来在编译的时候，像ResetEntry和CEntry这些表示地址的标号都被赋于从|Image$$RO$$Base|开始之后的地址，只要|Image$$RO$$Base|大等于0x3000_0000,利用ldr取得绝对地址后赋给PC就能直接跳转到SDRAM里去了。我之前一直以为ResetEntry=0x0000_0000，而且分不清ldr和adr之间的差别，因此纠结了好久。

ldr pc,=CEntry ;goto compiler address
CEntry
bl Main ;Don t use main()because ......
b

三、启动代码和流程的分析

上述的汇编程序即是存放在NAND FLASH首页的启动代码，启动的流程如下：

(1)配置DMA控制器的4个寄存器，通道使能后，等待FLASH发出的搬运请求；

(2)配置NAND FLASH控制器的3个寄存器，选择适合的地址、时序参数与所用的FLASH芯片吻合；

(3)分别在r8～r11中放入程序需要的备用值；

(4)将需要在SDRAM中运行的4条指令搬入SDRAM 0x30000000处；

(5)执行Nop指令，Nop指令用于填充一页NANDFLASH中的剩余空间；