lzg_ad:EWF RAM Reg模式原理介绍

EWF RAM Reg 模式与 EWF RAM 模式相类似。 它不同于标准的 EWF RAM 模式仅仅在于配置信息存储位置由 EWF 卷上更改为系统注册表中。EWF RAM Reg 模式使用以下配置:

• EWF 的覆盖层存储在内存中
• EWF 卷存储在系统注册表中

    EWF RAM Reg 模式的覆盖层写入缓存仍然存在于内存中。当 EWF RAM Reg 模式配置完成, EWF 的配置过程将会跳过FAB的过程。

    当 FBA 完成后，你需要手动的编辑系统注册表来启用 EWF 功能。 系统中将不会创建EWF的卷信息. EWF RAM 模式仅仅支持一个级别的覆盖层。

    我们常常使用 EWF RAM Reg 模式在以下的环境中:

• 被保护的存储媒体仅具有一个分区，或者存储媒体不能够被分区；
• 被保护的存储媒体为可移动磁盘，例如 CompactFlash（CF卡）, USB, or IEEE 1394 devices；
• 被保护媒体不能够支持标准的内存覆盖层；
• 需要最小写入操作的对读写次数有限制的存储媒体，例如 CompactFlash（CF卡）；

    下图显示了 EWF RAM Reg 模式是如何配置到目标设备上的例子。

    由于 EWF 卷信息将被保存在注册表中，如果注册表写保护了，尝试禁用EWF的操作将会失败。你必须使用 EWF 管理程序中的 - commitanddisable 命令来提交更改到注册表中，并且禁用 EWF 功能。 更多信息请参看 lzg_ad:ewfmgr命令及参数详解。

    如果你要保护一个以上的磁盘分区，你只需要提交覆盖层信息到磁盘分区当注册表信息已经被保存。 例如, 如果你有两个保护分区——C: and D:，你能够使用 EWF 管理命令去禁用D盘上的覆盖层，并且提交注册表上的更改信息到C盘。

ewfmgr d: -disable
ewfmgr c: -commit

    关于如何配置EWF RAM Reg模式的方法，请参看： lzg_ad:在CF卡上实现EWF功能

本文转自雷志刚 51CTO博客，原文链接:http://blog.51cto.com/leizhigang/238208