读写测试_UFS 3.0读写测试数据曝光：秒杀UFS 2.1和eMMC

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2018年1月，UFS 3.0正式发布。作为UFS 2.0和2.1的迭代升级产品，UFS 3.0在性能上带来了非常显著的提升和进步。不过，目前这款闪存并没有正式商用，所以关于他的实际性能我们无从得知。

日前，网络上曝光了一张1TB UFS 3.0闪存的Androbench读写测试记录截图。

从这份记录中，我们可以明显的看到UFS 3.0的顺序读取速度达到了2279.8MB/s，顺序写入速度达到了1801.1MB/s。按照目前UFS 2.1普遍的700-800MB/s顺序读取速度来看，基本是2-3倍了。

不过UFS 3.0的4K随读和随写的成绩和现有的UFS 2.1差别并不大，不排除还有优化空间的可能性。

根据先前的介绍，UFS(即通用闪存存储)3.0主打高性能、低功耗，它是首个引入了MIPI M-PHY HS-Gear4标准的闪存，单通道带宽高达23.2Gbps，是UFS 2.0/2.1的两倍。

另外，UFS 3.0支持更多分区，纠错的能力升级，电压达到2.5V，并支持最新的NANG Flash介质。

2019年的主流旗舰芯片都支持UFS 3.0，目前已经确定高通骁龙855和三星Exynos 9820能够兼容这一全新的闪存规格。三星也曾表示预计将会在今年上半年推出搭载UFS 3.0闪存的机型。目前推测，三星Galaxy S10系列应该会有一款产品，采用的是UFS 3.0规格闪存，可能是顶配的S10+ 5G版本。

先前台湾厂商群联电子(Phison)曾公布在UFS闪存上的研发进程。群联的UFS 2.1分为2代产品，吞吐量分别为800MB/s和1333MB/s，而最新的UFS 3.0的吞吐量更是高达2666MB/s，相比UFS 2.1基本是成倍增长。

看样子，UFS 3.0的产品真正推出，可能还需要一段时间，但其实际表现应该会大幅超过现有的UFS 2.1产品，我们不妨期待一下。