Qualcomm全球副总裁兼风险投资部中国区总经理沈劲(左三)接受中芯长电战略合作伙伴奖
中芯长电和美国高通公司28日在江苏无锡共同宣布：中芯长电一期28纳米硅片凸块加工实现规模化量产后，14纳米中段硅片凸块加工开始量产。这标志着，中芯长电继28纳米芯片之后，已具备14纳米硅片凸块加工量产的能力。中芯长电由此成为中国大陆第一家进入14纳米工艺技术节点产业链并实现量产的半导体公司。
据了解，中芯长电最初由中芯国际携手长电科技于2014年8月成立。2015年12月，高通与国家集成电路产业投资基金共同对中芯长电进行投资。在组建不到两年的时间内，中芯长电于2016年初实现28纳米硅片凸块加工的量产，目前已实现12英寸晶圆的单月大规模出货。
中芯长电相关负责人介绍，中芯长电在28纳米硅片凸块加工工艺上，不仅实现了业界一流的生产良率，并在高密度铜柱凸块的接触电阻控制等关键技术指标上，达到业界领先水平。目前中芯长电已具备每月2万片12英寸硅片凸块加工的生产能力。
中芯长电半导体首席执行官崔东表示：“美国高通公司对我们进行了战略投资，帮助我们成功地建立了领先的、能够稳定高效量产的12英寸凸块加工生产线。此次14纳米硅片凸块加工的量产，是对公司和团队能力以及执行力的高度肯定，说明我们具备了为像高通这样世界一流客户提供综合服务的能力。”
美国高通公司全球运营高级副总裁陈若文博士表示：“中芯长电14纳米凸块量产说明中芯长电在中段凸块加工的先进工艺技术上已达到了世界一流的制造水准。高通乐于与中芯长电合作，加强在中国半导体供应链的布局。这体现了高通支持中国本土集成电路制造产业的承诺，并有助于我们更好地服务客户。”
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本文转自d1net（转载）
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