Cortex-M3 入门指南（三）：时钟总线与复位时钟控制器

 

【reset clock control  复位和时钟控制器】

时钟信号对于处理器非常重要，比如我们熟悉的 CPU 就是由时钟信号驱动的，而主频就是内核的的时钟信号频率。Cortex-M3 有着复杂的时钟树架构，而且我们需要在初始化阶段配置好时钟参数。

本文将会先介绍时钟相关的概念，然后介绍使用库函数便捷设置时钟总线的方法，在文章最后再深入学习库函数背后等效的时钟寄存器原理。

 

时钟源

STM32F103 中有 4 种可选时钟源:

1. 高速外部时钟 (HSE): 以外部晶振作时钟源，晶振频率可取范围为 4~16 MHz，常用 8MHz 晶振，开发板上的 8MHz 时钟就是指的这个。
2. 高速内部时钟 (HSI): 由内部 RC 振荡器产生，频率为8MHz, 无须外接晶振，但精确性比外部时钟差。
3. 低速外部时钟 (LSE): 以外部晶振作时钟源，可以提供时钟信号给实时时钟模块，一般采用 32.768KHz 晶振，较为少用。
4. 低速内部时钟 (LSI): 由内部 RC 振荡器产生，也主要提供信号给实时时钟模块，频率在 30-60KHz 间浮动，较为少用。

单片机启动时默认使用高速内部时钟 (HSI)，启动之后可以通过 RCC 时钟控制寄存器器改用其他时钟源。

 

系统时钟 (SYSCLK)

系统时钟 SYSCLK 最大频率为 72MHz，它是供 STM32 中绝大部分部件工作的时钟源。系统时钟可由 PLL(锁相环)、HSI 或者 HSE 提供输入，并且通过 AHB(高速总线) 分频器分频后输出送给各模块使用。

 

锁相环 (PLL)

如果打算使单片机运行在最高频率 (72 MHz)，我们还需要倍频高速时钟源的时钟信号。锁相环能够将输出频率锁定在输入频率的正整数倍。STM32F103 的锁相环提供了 2 到 16 倍的倍频系数。假设我们使用高速内部时钟源 (8 MHz) ，想要使 STM32F103 达到最高主频 (72 MHz)，那么我们就要要启用锁相环，设置为 9 倍倍频，并将 SYSCLK 时钟源设置为 PLL。

 

时钟总线

STM32F103 中有 4 条时钟总线:

• AHB 高速总线，时钟为 HCLK，最大频率为 72 MHz，时钟信号提供给存储器，DMA 及 Cortex 内核，是内核运行的时钟，也就是主频，它的大小与 STM32 运算速度，数据存取速度密切相关。
• APB1 低速外设总线，时钟为 PCLK1，最大频率为 36 MHz，提供给挂载在APB1总线上的外设, 如 USART2，
• APB2 高速外设总线，时钟为 PCLK2，最大频率为 72 MHz，提供给挂载在APB2总线上的外设，如 GPIO, USART1。
• FCLK 自由运行时钟，独立于内核运行，一般设置为与 HCLK 同频率，常用于采样中断和调试模块供时。

 

使用库函数设置 复位时钟控制器 (RCC)

复位时钟控制器是 STM32F103 提供的一组寄存器，负责控制和设置上面提到的时钟源，锁相环倍频，各总线分频系数以及开关总线上的各类外设。

stm32f1xx_hal 提供了简洁的接口帮我们设置 RCC 寄存器，足够满足日常工作需要。工程上也推荐使用这种方式进行时钟树初始化。

下面例子中单片机使用外部 8MHz 晶振，并将所有总线设置为最高频率：

#![no_main]
#![no_std]  extern crate cortex_m; extern crate cortex_m_rt as rt; extern crate panic_halt; extern crate stm32f103xx_hal as hal;  use hal::prelude::*; use hal::stm32f103xx; use rt::entry;  #[entry] fn main() -> ! {  let dp = stm32f103xx::Peripherals::take().unwrap();   let mut flash = dp.FLASH.constrain();  let mut rcc = dp.RCC.constrain();   let clocks = rcc  .cfgr  .use_hse(8.mhz()) // 高速外部时钟源  .sysclk(72.mhz()) // 系统时钟  .hclk(72.mhz()) // AHB 高速总线  .pclk1(36.mhz()) // APB1 低速外设总线  .pclk2(72.mhz()) // APB2 高速外设总线  .freeze(&mut flash.acr); // 应用时钟配置   loop {} }

 

深入了解 RCC 寄存器

RCC 寄存器的设置比其他一般外设寄存器要更为复杂，因此一般不会手动设置。但是我们可以通过学习它来掌握的库函数背后的原理。

 

RCC 时钟设置一般分为以下几个步骤：

1. 启用外部晶振 （可选）
2. 等待外部晶振稳定
3. 设置各总线分频系数
4. 设置 FLASH 等待系数与预读取
5. 启动锁相环
6. 等待锁相环锁定
7. 将 SYSCLK 切换到锁相环信号输入

 

PS: 这里提到的 FLASH 等待系数和预读取都与 Cortex-M 架构设计有关。Cortex-M 核心采用了三级管道技术，简单来说就是当一个指令正在处理时，下一个指令已经被解码的同时第三个指令已经被预读取进缓存区了，这钟处理方式能够大幅提高处理器的运行效率。另外，FLASH 由于原理限制，很难达到与核心相同的高频率，因此在核心读取指令的速度超过 FLASH 发送指令速度的时候，核心需要暂时停下来等待。根据手册，STM32F103 的 FLASH 等待系数应根据核心频率 (HCLK) 设置：

HCLK        | FLASH WAIT STATE
-------------------------------
0 - 24 MHz  | 0 wait state
24 - 48 MHz | 1 wait state
48 - 72 MHz | 2 wait state

 

分频

事实上，AHB，APB1，APB2 等各总线的频率都严格成正整数倍关系，因为它们的时钟信号并不是单独产生的，而是根据特定结构分频出来的。分频就是按照预分频系数降低输入频率，预分频系数都为正整数。STM32F103 中的时钟树简化之后是这样的：

Example

我们这里用寄存器代替库函数初始化时钟树，代码与上节的库函数完全等效。下面用到的寄存器有 RCC_CR，RCC_CFGR，FLASH_ACR，由于篇幅较长，手册截图将放在后面以供参考。

use stm32f103xx;  pub fn rcc_clock_init(rcc: &mut stm32f103xx::RCC, flash: &mut stm32f103xx::FLASH) {  // 启动外部高速时钟 (HSE)  rcc.cr.write(|w| w.hseon().enabled());   // 等待外部高速时钟稳定  while !rcc.cr.read().hserdy().is_ready() {}   // 设置分频 AHB(HCLK) = SYSCLK, APB1(PCLK1) = SYSCLK / 2, APB2(PCK2) = SYSCLK  rcc.cfgr  .write(|w| w.hpre().no_div().ppre1().div2().ppre2().no_div());   // 设置锁相环为 9 x HSE  rcc.cfgr  .write(|w| w.pllsrc().external().pllxtpre().no_div().pllmul().mul9());   // 设置 flash : two wait states, 启用预读取  flash.acr.write(|w| w.latency().two().prftbe().enabled());   // 启动锁相环  rcc.cr.write(|w| w.pllon().enabled());   // 等待锁相环锁定  while !rcc.cr.read().pllrdy().is_locked() {}   // 使用锁相环输出作为 SYSCLK  rcc.cfgr.write(|w| w.sw().pll());   // 等待 SYSCLK 切换为锁相环  while !rcc.cfgr.read().sws().

转载于:https://www.cnblogs.com/tongongV/p/10833865.html