半导体存储器基本原理简介

 

 

基本结构

　　

　　地址线：单向

　　数据线：双向

　　片选线：一般表示为/CS或者/CE，低电平有效表示选中此片芯片

　　读/写控制线：可以一根也可以两根，一根时表示为/WE，低电平写高电平读，两根时表示为/OE允许写和/WE允许读。

 

片选线作用

　　片选片选顾名思义就是这根线有效时才才允许对这片芯片进行操作，在储存器中有很多片芯片，地址信息进入时只有对应的片选线有效，再经过地址译码器传入对应芯片内。

 

译码驱动方式

　　驱动方式有两种 ①线选法 ②重合法

      　　①线选法:

     　　 

　　　四条地址线A0A1A2A3经地址译码器出来24=16条选择线，称为行线，它的作用是打开每个存储位元的输入与非门。有D0~D7八条数据线，它指定了存储器的字长为8位，即该芯片是16×8位存储芯片。

　　　线选法有一个缺点，当容量变大时，行线就变得非常多，比如需要一个1M×8位的存储器时，就需要1M条行线也就是一百万条，这样在集成起来难度就很大了，于是有了重合法。

      　　②重合法

　　

　　　采用双译码方式，以便组织更大的存储容量。这种译码的实质是二级译码，把地址分成x方向和y方向两部分，行线和列线分别译码，交叉处就是有效区。例如1M×8位存储器，就可以分成x向1K条和y向的1K条总共2K条组成1K×1K×8位=1M×8位的存储器。

　　　

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