刚開始学习的人制作VMOS场效应管小功放

VMOS场效应管既有 电子管的长处又有晶体管的长处,用它 制作的功率放大器声音醇厚、甜美,动态范围大、频率响应好。因此近年来在 音响 设备中得到了广泛应用。


  
  大功率的场效应管功率放大器。电.路比較复杂。制作和调试难度也较大。而且.成本也非常高。所以不太适合刚開始学习的人制作。

以下介绍的这款VMOS场效应管小功放,电路非常easy,制作调试也非常容易,十分适合初学的爱好者。

仅仅要所用元器件良好,电路·焊接正确,就可一举成功,而且音质也相当不错。本机的缺点是输出功率略显小了一点(约3W~4W)。但用作MP4/ target=_blank class=infotextkey>MP3、手机数码音乐的播放还是很适用的。

电路圈仅仅画出一个声道。还有一声道全然同样,电源部分共用。


  
  一.电路简单介绍
  
  电路见附图,输出级採用典型的单端甲类放大电路。由于在输人信号的所有范围内,甲类放大器都处于线性区,同一时候单端放大器不存在对称问题,所以非线性失真极小。由于场效应管是电压控制器件,输出级所须要的推动功率较小,所以推动级也非常easy,由一仅仅结型场效应管担任。
  
  功率输出端通过输出变压器耦台输出,音乐韵味和电子管功放相似。
  
  二、场效应管的检測
  
  在业余条件下。爱好者能够用指针式万能表的电阻挡对管子作简单的測试,粗略推断管子的好坏。
  
  BG1结型场效应管採用3DJ6、3DJ7等,測试时用RxlK或R×100Ω挡測量栅极与源极、栅极与漏极的正反向电阻。正向阻值都应在SkΩ—lOkΩ左右。反向阻值应无穷大。測量源极与漏极电阻,正反向阻值应对称,当人手靠近栅极时,有感应现象。表针摆动;感应越大,说明跨导越大。源极和漏极能够互换使用。
  
  BG2VMOS场效应管採用V40AT、VN66AF、IRF132、2SK134等,当測量栅极与源极或者栅极与漏极之间的正反向电阻时,阻值均应无穷大,依此可先找到栅极。
  
  源极和漏极相当于一个PN结;对于N沟道增强型管子,假设用黑表笔接漏极红表笔接源极,栅极开路,管子的电阻值非常不稳定。

当用手接触栅极时。阻值有明显变化,变化越大。说明管子的跨导值越高(此时应用RxlOK挡,表内电压较高,測试时变化明显)。

  三.输出变压器的绕制
  
  因为场效应管的输出阻抗比电子管低。所以输出变压器变比較小。0基础阻抗也较低,不须要非常大的电感量就能够得到非常好的频响,採用简单的绕制方法就可以满足要求。铁心面积S=20mmx20mm.0基础线圈用φ0.5mm漆包线绕220圈,次级用φ0.8mm漆包线绕110圈接80喇叭,绕78圈接4Ω喇叭,先绕次级后绕0基础。铁心和漆包线的规格能够灵活选择,仅仅要铁心窗体绕得下,相差点儿相同都能够代用。
  
  四、电源变压器的选用
  
  採用收录机、黑白电视机等拆机变压器改制。次级电压18V~22V左右都能够採用。电压若不合适。能够通过多余绕组串联或穿线加绕等办法解决,使整流后得到24V—30V左右的直流电压。

输出功率会因电源电压不同而不同。

若次级电压过低,如10V左右。也能够採用倍压整流方式取得要求的直流电压。但滤波电容对应加大。由于是甲类放大状态。电流相对恒定。所以不必採用稳压电源。滤波电感L可用日光灯镇流器取代。
  
  五、装配与焊接
  
  VMOS场效应管输八阻抗非常高。为防止意外损坏。应在装配的最后再焊接VMOS管,而且在焊接时将GS两极(或三个极)临时短路。

电烙铁应将外壳可靠接地,或焊接时拔掉电源线用余热焊接。
  
  由于电路简单。印刷电路板能够用刀刻法自制,即便是採用搭棚焊接,也能获得成功。

调整电阻R3使BG1的D、S极电压和电阻R2两端电压基本相等。调整电阻R6改变功放级的静态电流。

电阻R4是负反馈电阻。10V稳压管是VMOS管的外接保护二极管。

由于甲类放大器发热量较大,VMOS管的散热器要足够大,以确保工作时温升只是高。

VMOS场效应管小功放

来自山阳电器维修

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场效应晶体管(FET)是一种电压控制型半导体器件,其工作原理与双极型晶体管有所不同。FET只有多数载流子参与导电,因此也被称为单极型晶体管。FET具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,已经成为双极型晶体管和功率晶体管的竞争对手。 FET主要有两种类型:结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOS-FET)。JFET因为有两个PN结而得名,而MOS-FET则是指金属-氧化物-半导体场效应管。在MOS-FET中,最常见且广泛应用的是MOS场效应管,即金属-氧化物-半导体场效应管。此外,还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近问世的πMOS场效应管VMOS功率模块等。 根据沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型FET可以分为沟道型和P沟道型。同时,FET还可以根据导电方式分为耗尽型和增强型。结型场效应管都属于耗尽型,而绝缘栅型场效应管则既有耗尽型又有增强型。 总结起来,FET是一种电压控制型半导体器件,它仅通过多数载流子参与导电。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。FET主要有结型场效应管和MOS场效应管两种类型,其中MOS场效应管应用最为广泛。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* [场效应管是什么?场效应管工作原理](https://download.csdn.net/download/weixin_38556737/12608051)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] - *2* *3* [场效应管工作原理详解](https://blog.csdn.net/qq_37971227/article/details/129162633)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] [ .reference_list ]
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