功率器件-VMOS、IGBT

功率场效应晶体管（VMOS） 

 Vertical Diffusion Metal-Oxide Semiconductor：速度快，易驱动，SOA宽，功率小
VMOS的结构及特性

​VMOS的驱动电路和保护电路

互补驱动

互补驱动电路可以加速关断

VMOS缓冲电路

过压过流保护（栅极易坏）防止静电击穿，防止偶然振荡，防止过压过流等。​

VMOS应用举例

电源变换​

​逆变电路

小信号驱动VMOS经过放大之后驱动GTR，VT5 VT6可以防止同时接通，另外其寄生二极管为关断续流提供了通路。

​绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

​IGBT的结构特性

VGE （一般15V左右） 

 IGBT的驱动与保护

防静电，防干扰，防止过压、过流等。加接RG以减小di/dt，防止 振荡；加接RGE以减小干扰，防止误导通等。

​ IGBT应用举例

IGBT广泛应用于开关电源、电机控制及其他要求速度快、损耗低的场合等。

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