【元器件】melf电阻的使用

 

Melf电阻

参考链接：https://www.eet-china.com/news/201708311547.html

Melf电阻最大的特点是可以抗脉冲。从下图可以看出厚膜电阻、薄膜片式电阻、薄膜Melf电阻的物理结构。

图1：三种电阻的结构，(图片引用自：https://www.eet-china.com/news/201708311547.html)

 

图2：片式薄膜电阻的热效应(图片引用自：https://www.eet-china.com/news/201708311547.html)

图3：Melf电阻的结构(图片引用自：https://www.eet-china.com/news/201708311547.html)

 

片式薄膜电阻由于有拐点，各点发热量不均匀，寿命会收到影响。

Melf电阻由于均匀无拐点，发热均匀，寿命高。

厚膜技术使用的是对热应力非常敏感的混合金属/金属氧化物/玻璃膏，导致厚膜电阻器的有限脉冲负载能力进一步减小。相比之下，薄膜技术常用的均匀金属合金膜具有高得多的脉冲负载能力。但两者的热稳定性均无法与碳膜技术相比，后者的升华点（~ 3900 K）在所有元件中最高。 这种不同寻常的特性使碳膜MELF电阻器对高脉冲负载产生的热效应具有最佳承受力。

除了电阻器几何形状和膜材料以外，其他生产相关因素（如整洁的切边；膜与陶瓷衬底之间的良好黏合，以促进导热；或者其他电阻器材料（如陶瓷衬底）的热性质）也可能对电阻器的脉冲负载能力有很大影响。因此，高质量制造和电阻器组成要素的良好匹配变得非常重要。

总之，决定SMD电阻器脉冲负载能力的最重要因素是电阻层的有效面积，使电流能够均匀流动的微调图案，以及具有高热稳定性的电阻膜材料。在碳膜MELF电阻器中，这些因素都适合帮助产生最佳脉冲负载能力。

 

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