vbm 分析_深入分析能带结构(七)VASPKIT计算有效质量

        本文前半部分讲解原理，如果对计算原理不感兴趣，可以直接跳到后半部分看VASPKIT的操作。

        电子结构的计算分析是第一性原理计算中的核心，而能带结构则是核心中的核心。VASPKIT公众号会把深入分析能带结构系列进行到底。今天要讲的主题是有效质量的计算。如果此文看着吃力的同学建议先看往期回顾。

往期回顾：

深入分析能带结构(一)

深入分析能带结构(二)-VASPKIT能带图计算

深入分析能带结构(三)-Origin画能带图

深入分析能带结构(四)-高通量生成能带图pymatgen

深入分析能带结构(五)-魔角石墨烯的构建与其能带结构浅析

深入分析能带结构(六)-对赝原子做投影，电子化合物(下)

有效质量(Effective mass)概括了在布里渊区特定的位置处半导体内部势场及其电子与导电载流子的相互作用。它是表征载流子迁移运动的重要物理量。做半导体物理的同学肯定会频繁和它打交道，比如算载流子迁移率，输运性质，激子结合能，都离不开计算有效质量。

        这是电子结构有效质量，是我们通过能带E-k关系的计算可得到的。除了电子结构有效质量，还有态密度有效质量和电导有效质量。这些内容网络上有很多课程会详细讲解(比如中科大的半导体物理MOOC)，这里就不在赘述了。推荐看一下：

        电导有效质量和态密度有效质量的区别和联系

        再谈载流子有效质量计算

        这里简单讲一下电子有效质量怎么推导出来的，有助于我们理解这个概念。外加电场力对晶体中电子所做的功(dE)会导致电子的能量发生变化，它等于电场力(f)乘以电子走过的路程(ds)。ds也等于电子速度(v)乘以时间(dt)：

        把电子速度v和能量的关系带入上式可得：

        电子加速度(a)等于速度(v)对时间的导数，上式中左右对t求导可得：